2022年7月26日，安克创新举办安克旗舰新品发布会，正式推出GaNPrime 全氮化镓系统，以及 7 款年度旗舰新品，再次引领氮化镓技术，大功率充电器全氮化镓系统时代来临。在 100W 以下充电器上，Anker 联合南芯科技和英诺赛科独家首发了全氮化镓器件技术。行业首创地在电路前端、后端都应用上了氮化镓，使得充电器效率提升到 93%，占用贴片面的体积更小，减少 7.2% 的损耗。

GaN器件在PD快充电源中的技术发展可分为3步：

• 控制器+驱动+器件

• 控制器+(驱动/器件)

• 控制器/驱动/器件三合一

最初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化镓功率器件组合设计，不仅电路布局较为复杂，产品开发难度相对较大，且成本也比较高。之后业内开始尝试将氮化镓功率器件、PWM控制器、驱动器整合到一个封装内部，实现高集成度的氮化镓合封芯片设计。

南芯科技，作为氮化镓快充控制器国产化先驱，已率先实现氮化镓控制芯片的自主可控，至今已成功量产多款集成GaN直驱的控制器，凭借成熟的高集成度GaN解决方案，已与多品牌达成深度合作，得到行业广泛认可。

本文将整理南芯科技氮化镓应用合集，如需样品或资料，欢迎登录南芯官网：www.southchip.com 查询或后台留言咨询。

南芯科技GaN应用关键技术

2020年，南芯科技量产SC302x系列，分段式供电解决宽输出供电难题，差分直驱解决驱动问题；2021年，推出控制器+驱动+器件三合一的高集成度方案SC305x系列，再次使得GaN器件性能优势得以极大限度的发挥，使第三代半导体器件的应用越发精简。

南芯科技GaN应用关键技术：

• 独有的分段式供电，应对宽输出电压范围（3.3V—21.0V）

• BOM极简GaN直驱

• 自动模态切换，降低SR电压应力，提高系统可靠性

(独有的分段式供电)

(BOM极简GaN直驱)