西安紫光国芯7月消息，其在VLSI 2023技术与电路研讨会上发表技术论文《基于小间距混合键合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多层阵列DRAM》。

本次VLSI 2023，西安紫光国芯发布的新一代多层阵列SeDRAM，相较上一代单层阵列结构，新一代技术平台主要采用了低温混合键合技术和mini-TSV堆积技术。该技术平台每Gbit由2048个数据接口组成，每个接口数据速度达541 Mbps，最终实现业界领先的135 GBps/Gbit带宽和0.66 pJ/bit能效，为叠加更多层DRAM阵列结构提供先进有效的解决方案。

论文通讯作者西安紫光国芯总经理江喜平表示，2020年IEDM我们发布第一代SeDRAM技术，之后我们实现多款产品大规模量产。这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术，实现更小的电容电阻、更大的带宽和容量，可广泛应用于近存计算、大数据处理和高性能计算等领域。

据介绍，本年度VLSI会议共收到全球投稿632篇，在最终录取的212篇中，仅有2篇来自中国内地企业，其中1篇便是西安紫光国芯的嵌入式多层阵列DRAM论文。（校对/赵碧莹）