武汉经开区2日消息，近日，首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。

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据悉，该碳化硅模块，采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。

武汉经开区消息，智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产项目。智新半导体成立4年来，已申请受理专利51项，其中发明专利40项，已授权专利20项，其中发明专利11项。

此前消息，2019年6月，东风公司与中国中车合资成立智新半导体有限公司，开始自主研发生产车规级IGBT模块。2021年7月，以第6代IGBT技术为基础的生产线启动量产。智新半导体碳化硅模块项目二期于2022年三季度启动，2023年5月开工。当时消息显示，该项目拟新建一条车规级IGBT模块生产线，实现新增年产30万件汽车模块生产能力。（校对/赵碧莹）