• 行业咨询
  • 品牌营销
  • 集微资讯
  • 知识产权
  • 集微职场
  • 集微投融资
  • 集微企业库
搜索
爱集微APP下载

扫码下载APP

爱集微APP扫码下载
集微logo
资讯集微报告舆情JiweiGPT企业洞察
2025第九届集微半导体大会集微视频
登录登录
bg_img
search_logo
大家都在搜

泰科天润“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”专利获授权

作者: 爱集微 2024-06-22
相关舆情 AI解读 生成海报
来源:爱集微 #泰科天润半导体# #泰科天润#
1.8w

天眼查显示,泰科天润半导体科技(北京)有限公司近日取得一项名为“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”的专利,授权公告号为CN117995686B,授权公告日为2024年6月14日,申请日为2024年4月2日。

本发明提供了一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法,包括:在碳化硅衬底的一侧面淀积金属,形成漏极金属层,在碳化硅衬底另一侧面淀积生长,形成漂移层;淀积阻挡层,对阻挡层,离子注入,分别形成阱区、JFET控制区以及源区;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层以及阱区,之后进行淀积,形成栅极介质层、第二栅极金属层、第一栅极金属层;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀形成通孔,通过通孔淀积金属,形成源极金属层,能实现器件的快速开启。

责编: 赵碧莹
来源:爱集微 #泰科天润半导体# #泰科天润#
分享至:
THE END

*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

相关推荐
  • 泰科天润“一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布

  • 泰科天润“一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布

  • 泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET”专利获授权

  • 泰科天润“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布

  • 泸州老窖跨界投资,泰科天润获新加持

  • 北京顺义泰科天润项目一期投资4亿元,预计2028年达产

评论

文明上网理性发言,请遵守新闻评论服务协议

登录参与评论

0/1000

提交内容
    没有更多评论
爱集微

微信:

邮箱:laoyaoba@gmail.com


11w文章总数
12012.5w总浏览量
最近发布
  • 酷赛科技开展精益生产持续改进表彰工作

    1小时前

  • 百度“障碍物确定方法、装置、电子设备及存储介质”专利公布

    1小时前

  • OPPO“远程过程调用方法及装置、设备、芯片及存储介质”专利公布

    1小时前

  • 赛美特“一种基于产品的图像分析方法和图像分析装置”专利公布

    1小时前

  • 荣耀“触控操作的响应方法和电子设备”专利获授权

    1小时前

最新资讯
  • 美的集团成立新零售公司,含半导体照明器件业务

    16分钟前

  • 重大调整!长安汽车任命两名产品首席执行官分管启源和引力品牌

    21分钟前

  • 比亚迪在长沙成立销售公司,加码配套服务能力

    52分钟前

  • 四方光电:美国营收占比少,关税影响有限

    53分钟前

  • 西典新能:已有12条FCC产线在部分车企实现批量应用

    54分钟前

  • 中兴通讯第九届“创兴日”:向智而行,共绘数智未来新蓝图

    55分钟前

关闭
加载

PDF 加载中...

集微logo
网站首页 版权声明 集微招聘 联系我们 网站地图 关于我们 商务合作 rss订阅

联系电话:

0592-6892326

新闻投稿:

laoyaoba@gmail.com

商务合作:

chenhao@ijiwei.com

问题反馈:

1574400753 (QQ)

集微官方微信

官方微信

集微官方微博

官方微博

集微app

APP下载

Copyright 2007-2023©IJiWei.com™Inc.All rights reserved | 闽ICP备17032949号

闽公网安备 35020502000344号