6月24日，2023年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂盛大举行。大族激光旗下全资子公司大族半导体携手广东工业大学等合作伙伴共同研发的“面向高性能芯片的高密度互连封装制造关键技术及装备”荣获国家科技进步奖二等奖。

大族半导体与广东工业大学陈新教授团队等长期深入产学研合作，突破了半导体激光精细加工技术与装备多项关键技术，形成了行业领先优势。成果获得国内国际一流龙头企业的严格认证与产业化应用。项目有力推动了高性能芯片高密度互连封装制造关键技术及装备的自主可控，为我国电子制造产业的高速发展做出了突出贡献。

此前，“面向高性能芯片的高密度互连封装制造关键技术及装备”项目暨“电子器件高密度封装的微细阵列制造关键技术与装备”项目入选2023年度广东省科学技术奖技术发明奖一等奖公示名单。

大族半导体新型SDBG工艺激光改质切割装备

示例机型:DSI-S-TC9212

应用领域

SDBG工艺主要应用于存储器封装过程中的晶圆切割工序。随着智能手机以及平板电脑的薄型化、大容量化的发展，市场对闪存(Flash Memory)、内存控制器(Memory Controller)薄型化的要求也不断提升，存储器晶圆通常为12寸，晶粒最终厚度最薄可达30μm，采用传统的先研磨减薄后切割的工艺方式容易造成传输过程中晶圆碎裂或切割完成后出现崩边、裂DIE等不良，无法实现可靠量产，采用SDBG工艺可以有效解决上述问题。

设备优势

● 数位光学空间光同步调制技术

● 优秀的切割品质，高质量低Splash（散射/激光热影响）

● 高效率高产出，Multi Beam(多光点)切割

● AI深度学习，搭载高精度机器视觉系统

● 高速度高精度运动控制系统技术

主要参数

实例效果

大族半导体凭借卓越的技术创新、产学研的深度合作以及研发成果的广泛应用，荣膺2023年度国家科学技术进步奖二等奖，这一殊荣不仅彰显了我司技术领域的高度成就，更是对我司产学研一体化模式的充分认可。展望未来，大族半导体将坚守科技创新，持续推动电子制造领域的技术革新与产业升级，为整个产业的高质量发展注入源源不断的强劲动力。