天眼查显示，陕西亚成微电子股份有限公司近日取得一项名为“一种线性平面功率VDMOS结构及其制备方法”的专利，授权公告号为CN116613215B，授权公告日为2024年7月19日，申请日为2023年6月26日。
本发明提供了一种线性平面功率VDMOS结构及其制备方法，用于解决现有VDMOS结构只适用于小尺寸功率MOS，且采用高浓度高能杂质离子注入与二次退火方案形成势垒屏蔽结构时工艺实现困难、稳定性较差，以及JFET区电阻过大的技术问题。本发明提供的VDMOS结构制备方法，增加了一次光刻和刻蚀工艺，并采用普通低能离子注入和退火工艺，不需要对离子注入和退火工艺参数进行精细控制，降低了工艺实现难度，提高了结构可靠性。同时，由于屏蔽区的离子注入能量较低，使得VDMOS结构中屏蔽区的结深较浅，JFET区深度减小，降低了JFET区电阻；另外采用光刻图形定义屏蔽区的横向延伸长度，使屏蔽区相对于基区额外的横向延伸长度可控，适用于大尺寸功率MOS器件Id‑Vd线性特性的改善。
