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泰科天润“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布

作者: 爱集微 2024-08-21
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来源:爱集微 #泰科天润#
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天眼查显示,泰科天润半导体科技(北京)有限公司“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布,申请公布日为2024年8月9日,申请公布号为CN118471811A。

本发明提供了一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法,包括:在碳化硅衬底的一侧面淀积金属,形成漏极金属层,在碳化硅衬底的另一侧面淀积生长形成漂移层;在漂移层上方淀积阻挡层,刻蚀,离子注入形成低阻结构层、阱区和源区;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀形成通孔,对通孔进行金属淀积,形成源极金属层;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀,淀积,形成栅介质层;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀,金属淀积,形成栅极金属层,所述栅极金属层位于低阻结构层和源区之间的阱区上方;去除阻挡层,完成制造,降低了栅极控制反型区面积,进而降低了栅极电荷,降低了器件的驱动损耗。


责编: 赵碧莹
来源:爱集微 #泰科天润#
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