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联芸科技亮相第三届GMIF2024创新峰会,探讨消费类SSD行业解决方案与应用

作者: 爱集微 2024-09-30
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来源:联芸科技 #联芸科技#
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9月27日,第三届GMIF2024创新峰会(Global Memory Innovation Forum)在深圳举行,联芸科技携旗下全系列固态硬盘主控芯片和嵌入式存储主控芯片亮相峰会。同时,联芸科技市场总监任欢受邀发表了《SSD主控芯片整体解决方案》主题演讲,深入分享了联芸科技在固态硬盘(SSD)主控芯片领域的多元化解决方案。

成立于2014年的联芸科技,从消费类SATA固态硬盘(SSD)主控芯片起家,经过十年深耕,已经完成了从SATA到PCIe 5.0固态硬盘(SSD)主控芯片的产品布局,实现消费级、企业级、工业级固态硬盘(SSD)等应用领域全覆盖。

凭借出色的产品性能和品质,联芸科技在行业内获得了广泛的认可,多次成为行业性能标杆。目前,联芸科技在固态硬盘主控芯片领域已发展成为全球出货量排名前列的独立固态硬盘主控芯片厂商,是全球为数不多掌握数据存储主控芯片核心技术的企业之一。

第三届GMIF2024创新峰会

第三届GMIF2024创新峰会

联芸科技展示现场

联芸科技市场总监任欢演讲《SSD主控芯片整体解决方案》

联芸科技本次展出的产品覆盖消费级、企业级和工业级市场,可满足不同应用领域SSD差异化的独特需求:

1.MAS090X系列

该系列产品是联芸科技基于 SATA III 接口技术开发的固态硬盘主控芯片。该芯片集成了联芸科技自研的 Agile ECC 2 Technology 技术,提供的先进纠错及自适配功能以满足NAND闪存技术的发展,同时支持基于硬件的数据加密功能。在性能上,最高顺序读写速度可达到560MB/s、530MB/s,最高随机读写速度可达100K IOPS、90K IOPS,可支持4TB容量。

2.MAS110X系列

该系列产品支持SATA3.2 技术接口,并集成了联芸科技新一代 Agile ECC 3 Technology纠错技术,可支持2CH*X8CE、4CH*X8CE、8CH*8CE;顺序读写速度最高可达560MB/s、530MB/s,随机读写速度最高可达100K IOPS、90K IOPS,可支持 8TB容量。

3.MAP1202

MAP1202支持PCIe Gen3x4 NVMe 1.4 接口技术标准,并采用联芸科技新一代 Agile ECC 3 Technology纠错技术,支持4CH X4CE,可支持4TB容量,接口速率达最高可达1600MT/s。性能上,顺序读写速度分别为3600MB/s、3200MB/s,随机读写速度分别为800K IOPS、600K IOPS。

4.MAP160X系列

该系列产品支持PCIe Gen4x4 NVMe 2.0接口技术标准,并采用联芸科技新一代 Agile ECC 3 Technology纠错技术,支持4CH X 4CE,最大容量达到4TB,接口速率达最高可达2400MT/s。其顺序读写速度分别为7400MB/s、 6500MB/s,随机读写速度最高为1500K IOPS、1000K IOPS。

5.MAP180X系列

该系列产品是联芸科技开发的PCIe 5 .0 固态硬盘主控芯片,支持PCIe Gen5x4  NVMe 2.0接口技术,采用联芸科技 Agile ECC 3 Technology纠错技术,接口速率达最高可达4800MT/s;最高其顺序读写速度分别为148000MB/s和14200MB/s,最高随机读写速度可达3500K IOPS和3000K IOPS。

6.MAU3202

该产品是联芸科技自研的一款嵌入式存储主控芯片,支持UFS 3.1接口技术,并采用Agile ECC 3Technology纠错技术,支持TLC和QLC NAND闪存,接口速率达3200 MT/s,支持2TB容量,其顺序读写速度能够达到2.1GB/s。

联芸科技产品和技术核心优势

高性能:利用先进的NANDIO接口技术,保证后端带宽达到前端协议理论极限速度

高可靠:通过端对端的数据检测保护以及先进的ECC技术,确保数据传输准确可靠

低功耗:通过高效的芯片电源管理设计和固件精准电源控制设计,达到极低功耗

低延迟:通过高效的软硬结合设计和固件读写优化设计,达到极低延迟

高安全:支持数据安全算法,保障用户数据安全

责编: 爱集微
来源:联芸科技 #联芸科技#
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