近期，联芸科技（杭州）股份有限公司展示了其自主研发的两款DRAMLess 架构PCIe 5.0 固态硬盘(SSD)主控芯片——MAP1802和MAP1806，这标志着该公司在高性能数据存储主控芯片和解决方案领域又迈出了重要一步。这两款最新发布的主控芯片面向消费级和工控级应用市场，体现了联芸科技在技术创新和性能提升方面的最新成果。

联芸MAP1802是一款面向新一代OEM平台全新研发的PCIe 5.0架构的Dramless 主控芯片，采用联芸科技自研的第四代Agile ECC技术，提供先进的纠错以及自适配功能，为固态硬盘（SSD）产品提供更佳的可靠性和耐用性。该芯片可适配当前市场上各种最新主流闪存颗粒，兼容ONFI5.1和Toggle5.0接口，支持4CHX4CE，闪存接口速率高达4800MT/s。基于MAP1802设计的PCIe5.0 固态硬盘（SSD）,最大可支持8TB容量。

除此之外，MAP1802封装尺寸仅为8.7mm×11.8mm，并采用新一代自适应功耗管理技术及独特的闪存功耗管理技术，休眠功耗小于1毫瓦，运行功耗接近2瓦，为PCIe Gen5 固态硬盘（SSD）进入笔电市场提供了可能。具体来看，MAP1802顺序读取速度可达14800MB/s，顺序写入速度最高为14200MB/s，随机读取速度可达3200K IOPS，随机写入速度为3000K IOPS。这一性能表现，使得它有望成为高性能笔记本电脑市场的理想选择。

同时，联芸科技还展出了另一款高端消费级/工控级的PCIe 5.0 NVMe 固态硬盘（SSD）主控芯片MAP1806。该芯片采用DRAMLess 架构，支持PCIe Gen5x4、NVMe 2.0标准，兼容ONFI5.1 /Toggle 5.0，同样支持联芸科技自研第四代Agile ECC技术，封装尺寸为11mm×14.5mm。与MAP1802不同，MAP1806采用8CH*4CE通道设计，可最大支持16TB容量的PCIe Gen5固态硬盘（SSD）产品；闪存接口速率为3600MT/s，但读写性能同样出色，可达14800MB/s、14000MB/s，3500K IOPS、3000K IOPS。

联芸科技在PCIe5.0主控芯片性能上的突破和创新，得益于其在软硬件协同创新设计上的持续深耕。公司通过将部分复杂的软件算法硬件化，有效降低了主控芯片对CPU和MEMORY空间的依赖，实现了性能、功耗和成本三者的平衡。此外，联芸科技的闪存接口控制器基于私有的闪存命令指令集，采用自研的闪存接口专用处理器，极大提升了闪存接口的有效利用率，从而不断提升产品读写速度等性能指标。

随着MAP1802、MAP1806等面向消费级/工控级和行业级应用的主控芯片的推出，联芸科技为市场带来了更多的选择和更高的性能标准。与此同时，联芸科技在固态硬盘(SSD)主控芯片领域的布局日益完善，已经完成了从SATA到PCle 5.0固态硬盘（SSD）产品布局，实现了消费级、企业级、工业级固态硬盘（SSD）等应用的全面覆盖。

联芸科技以其出色的产品性能表现、完善的产品布局及丰富的行业应用，多次刷新行业性能记录，受到业界重量级客户认可，确立了其在固态硬盘（SSD）主控芯片技术领域的领导地位，也为整个行业的技术进步和产品创新树立了新的标杆。