天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司近日取得一项名为“一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET”的专利，授权公告号为CN221960977U，授权公告日为2024年11月5日，申请日为2024年3月18日。

本实用新型提供了一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET，超结区内设有漂移层，超结区及漂移层连接至碳化硅衬底；沟道区内设有掩蔽层，沟道区以及掩蔽层连接至漂移层；隔离区连接至掩蔽层；源区连接至隔离区；第一栅极绝缘层连接至掩蔽层，第一栅极绝缘层内设有第一沟槽；第一源极金属层分别连接超结区以及沟道区；第二栅极绝缘层分别连接第一源极金属层、隔离区以及源区；第二栅极绝缘层内设有第二沟槽；第二源极金属层分别连接第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层以及源区；第一栅极金属层设于第一沟槽内；第二栅极金属层设于第二沟槽内；漏极金属层连接至所述碳化硅衬底，提高了栅控能力，降低了器件的导通电阻。