天眼查显示,盛合晶微半导体(江阴)有限公司“背面供电芯片封装结构及其制备方法”专利公布,申请公布日为2025年3月7日,申请公布号为 CN119581347A。
本发明提供一种背面供电芯片封装结构及其制备方法,通过第一半导体衬底、第一晶体管层、钝化层、第一信号布线层及第一电源布线层构成背面供电逻辑芯片,且利用背面供电逻辑芯片堆栈存储芯片,有效缩小封装厚度,减小封装结构尺寸;背面供电逻辑芯片及贯穿第一晶体管层内部的金属柱,可有效缩短传输距离,减少功耗。
天眼查显示,盛合晶微半导体(江阴)有限公司“背面供电芯片封装结构及其制备方法”专利公布,申请公布日为2025年3月7日,申请公布号为 CN119581347A。
本发明提供一种背面供电芯片封装结构及其制备方法,通过第一半导体衬底、第一晶体管层、钝化层、第一信号布线层及第一电源布线层构成背面供电逻辑芯片,且利用背面供电逻辑芯片堆栈存储芯片,有效缩小封装厚度,减小封装结构尺寸;背面供电逻辑芯片及贯穿第一晶体管层内部的金属柱,可有效缩短传输距离,减少功耗。
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