三星电子正逐步改进其2nm环绕栅极（GAA）工艺，以期在产量和成本控制方面取得突破，从而成为台积电的有力竞争者。尽管台积电目前在全球2nm技术生产领域尚无直接竞争对手，但三星凭借其持续的技术进步，有望在未来几年内迎头赶上。

据悉，三星在提升2nm GAA工艺良率方面仍面临挑战，但公司采取更为谨慎的策略，专注于逐步改进和迭代。此前，三星决定推迟1.4nm工艺的研发，集中资源攻坚2nm GAA技术，这一决策被认为是明智之举。据报道，三星计划推出多种版本的尖端工艺，以实现其在半导体领域的多元化发展。

内部消息人士透露，三星预计2nm GAA晶圆的需求将持续至少三年。在此期间，公司还将重点解决散热问题并稳定性能。三星已启动“选择与集中”战略，目标是将2nm GAA工艺的良率提升至70%。尽管这一数字仍落后于台积电20~30个百分点，但已超出公司管理层的保守预期。

预计到2025年下半年，三星将开始大规模生产2nm GAA芯片，并在平泽工厂及其他地点建立生产线。此外，三星还计划推出改进版的2nm GAA节点，第二代工艺的基本设计已完成。第三代工艺被命名为“SF2P+”，三星目标在两年内实现其应用。

然而，鉴于三星在过往项目中的表现，其在未来订单竞争中可能不占优势。因此，公司需通过签订多项行业合同建立信任，并以折扣价格提供2nm GAA晶圆以吸引客户。尽管短期内三星难以与台积电相提并论，但经过数年努力，半导体市场有望迎来新的竞争格局。

值得一提的是，台积电在2nm技术领域的领先地位依然稳固，其生产能力和技术成熟度目前无人能及。三星若想在激烈的市场竞争中脱颖而出，必须在技术创新和成本控制上实现重大突破。未来几年，随着2nm GAA芯片需求的持续增长，三星能否成功逆袭，将成为半导体行业的一大看点。（校对/赵月）