据媒体报道，三星电子公司副总裁、系统封装实验室领导 Kim Dae-Woo 在一场产业研讨会上表示，现有的热压缩键合 (TCB) 技术无法满足未来 20 层（16 层以上）HBM 内存堆栈的生产需求。

负责连接各层 DRAM Die 的键合工艺在 HBM 的制造中起到举足轻重的作用，传统 TCB 包含凸块结构，这影响了进一步的间距压缩同时拥有更高热阻。根据三星电子给出的数据，无凸块的混合键合 (HCB) 可将堆叠层数提高至多 1/3、热阻降低至多 20%。

据悉，三星电子将 16 层堆叠视为 HBM 内存键合技术从 TCB 转向 HCB 的关键节点，这大致对应 HBM4E 内存世代，到 HBM5 混合键合将实现全面应用。