根据摩根士丹利跟踪报告显示，美光科技高层在投资人会议中表示，其DRAM扩产新产能最快2027年底出货，叠加半导体设备产能不足，DRAM供不应求状态将持续至2027年。
当前，AI芯片驱动的高带宽内存（HBM）旺盛需求，是DRAM市场供需紧张的关键瓶颈。美光已在2025年第三季实现HBM位市占率追平整体DRAM市占，并看好HBM4E与HBM5导入定制化逻辑基础芯片后，进一步提升价格、成本与利润率。
据悉，HBM从3E过渡至4/5代时，DRAM产能消耗比重可能将从3:1升至4:1，且目前DRAM堆叠制造HBM的良率仅50%-60%，进一步加剧供需失衡。
为应对市场结构性变化，美光启动“战略性客户协议”（SCA），已签署五年长期合约，保障资本支出回报率。财务方面，美光最新一季毛利率财测指引达81%，远期目标瞄准80%区间中段，乐观预期2027年每股盈余（EPS）至少100美元，并认为近期DRAM现货价下跌及过量出货传闻影响有限。
扩产规划上，美光大幅上调资本支出，2026财年预计达250亿美元，2027财年有望突破370亿美元，计划实现所有产线具备EUV设备能力。但其新建晶圆厂产能最快2027年底出货，2028年才会对市场供给产生实质影响，届时或实现DRAM供需平衡，而EUV设备产能有限、交付周期长仍是关键制约。
