7月 8 日，国家科学技术奖励大会、中国科学院第二十二次院士大会和中国工程院第十八次院士大会、中国科学技术协会第十一次全国代表大会在人民大会堂隆重召开。
在此次大会上揭晓的2025年度国家科学技术奖中，中国科学院微电子研究所叶甜春研究员主持完成的“集成电路FinFET器件工艺核心技术及重大应用”项目荣获国家技术发明奖二等奖。
该项目在集成电路FinFET关键核心技术上取得重要突破，提出FinFET有源区的单扩散隔离等新技术，解决了尺寸微缩等难题，相关技术应用于国内外集成电路大型制造企业的量产产品中。获授权发明专利640余项，并向多家集成电路大型制造企业许可使用。
信息显示，叶甜春研究员是中国集成电路（IC）工艺与器件领域的重要学术带头人之一，曾担任中国科学院微电子研究所所长。2008年，他被国务院任命为国家科技重大专项"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"技术总师。2019年，他还被选为国际欧亚科学院院士。
在三十余年的科研生涯中，叶研究员在集成电路先导工艺与器件、纳米加工等核心技术领域取得了显著的创新成就，先后获得国家技术发明二等奖3项、中国科学院杰出科技成就奖1项、中国科学院科技促进发展奖1项以及7项省部级科技奖项。他拥有超过120项发明专利授权，在国际顶尖学术期刊和会议上发表了300多篇学术论文，并培养了200多名硕士和博士研究生。作为国家重大专项技术总师，他组织协调集成电路产业链上下游紧密协作开展技术攻关，为推动中国集成电路产业从工艺到装备的技术水平实现跨越式发展作出了重大贡献。
