继DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工之后，三星电子正将与英伟达的合作版图进一步拓展至NAND闪存领域，双方在存储芯片供应链上的捆绑进入全新阶段。
据7月21日最新消息，三星已开始量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，并加速推进第十一代500层级V-NAND（V11）的研发。这一“量产V9、上量V10、试产V11”的三代并行布局，标志着三星正将最核心的闪存产能向AI赛道倾斜。
此次合作的直接驱动力，源自英伟达即将推出的上下文存储平台CMX（Context Memory Storage）。该设备单套可搭载576块固态硬盘，总容量高达9600TB，旨在解决AI推理过程中KV缓存数据指数级暴涨带来的存储瓶颈。业界预计，CMX对NAND的需求将从今年的3500万TB飙升至明年超过1亿TB。
为匹配这一海量需求，三星已完成内部产能结构重塑。目前，三星月产V-NAND超过10万片晶圆，其中约60%产能分配给V9产品，而一年前还占据主力的V8产能已被压缩至40%以下。V9闪存良率已稳定提升至80%以上，进入量产稳定期；三星平泽P4工厂的NAND洁净室仍有超半数空间可用于进一步扩产。
在技术迭代层面，三星同样展现出惊人的加速度。今年上半年启动量产的V10，采用约400层堆叠架构，存储密度较286层的V9提升超50%，并业界首次将钼（Molybdenum）替代传统钨作为布线材料，使配线厚度缩减30%至40%。
更值得关注的是，目标堆叠层级400至500层的V11已进入试产阶段，预计下半年试产规模将翻倍，为后续量产积累良率数据。
受益于AI存储需求的爆发，三星2026年利润预计将创下历史新高。然而，英伟达对高端NAND产能的大规模锁定，也意味着其他企业及消费级市场（如PC SSD）的供给将被大幅挤压。分析人士指出，NAND闪存市场可能将重演DRAM因AI需求导致缺货涨价的局面，供应压力短期内恐将持续。
