1.AI芯片需求引爆涨价潮：台积电、三星接力调涨，先进制程最高涨15%；
2.攻坚“小光刻机”！惠然微电子王志刚谈电子束量测装备的国产突围之路；
3.昂瑞微半年报解读：新兴赛道多点开花 成长空间持续打开；
4.从丢失中国客户到稀土供应链承压，美国五大半导体公司齐曝出口管制“后坐力”；
5.高通侯纪磊：打造AI研发“飞轮” 智能体手机尚存三大挑战；
6.1.49万亿元！我国前7个月集成电路出口同比增长91.6%
1.AI芯片需求引爆涨价潮：台积电、三星接力调涨，先进制程最高涨15%
受生成式AI浪潮持续推动，全球对高性能计算芯片的渴求有增无减，直接导致头部晶圆代工厂的先进制程产能陷入供不应求的紧绷状态。作为行业龙头的台积电，其N2与N3系列制程产能已被苹果、英伟达等大客户预订一空，就连昔日芯片巨头英特尔，也计划为其2027年初推出的新一代Nova Lake台式机处理器，向台积电采购高性能延伸版N2X制程芯片——这进一步印证了AI芯片需求的刚性本质。
在台积电产能满载、订单外溢的背景下，长期在晶圆代工领域承压的三星电子意外迎来转机。凭借接获来自美国及中国大陆客户的转单，三星晶圆代工部门自2022年以来持续亏损的窘境得以缓和，更于今年7月率先宣布调涨N4与N5先进制程代工价格10%～15%，同时将成熟制程N8也上调近10%。这一举动被市场解读为涨价“第一枪”，而市占率高达73%的台积电，几乎没有不跟进的理由。
据外资机构与供应链多方调研显示，台积电已于今年年中与客户完成新一轮代工价格谈判，为下半年及明年初的系统性涨价铺路。具体来看，N3制程（含N3E、N3P）因下半年持续供不应求，已先行额外调涨最高15%；而到2027年初，台积电预计将在N2、N3、N5等先进制程基础上再上调5%～10%。更值得关注的是，连续三年未曾调价的N12、N16、N28等成熟制程芯片，此番也将迎来补涨，基本涨幅上看10%。这意味着台积电正从点状调价转向全面性价格调整，覆盖从最尖端到主流成熟节点的全产品线。
花旗证券认为，全球科技巨头对AI芯片的强劲拉货，将使台积电先进制程产能利用率维持高位，N2与N3的刚性需求将支撑代工价格稳定走高至2027年。里昂证券则指出，台积电为拉大与三星、英特尔的技术与规模差距，正加速扩产，预估2027年资本支出将达800亿美元，2028年进一步扩至900亿美元。而今年资本支出已上调至520～560亿美元，创历史新高，美国亚利桑那州投资加码至2650亿美元，规划建设10座晶圆厂、2座先进封装厂及1座研发中心，同步带动台湾设备、厂务、材料等供应链订单能见度延伸至2027年后。
在定价能力提升和扩产规模效应下，N2每片晶圆起售价高达30000美元，较N3溢价10%～20%，有望推动台积电毛利率持续改善。
2.攻坚“小光刻机”！惠然微电子王志刚谈电子束量测装备的国产突围之路
半导体量测设备是芯片制造过程中的“眼睛”，贯穿光刻、刻蚀、沉积等全部核心工艺环节，直接决定晶圆良率水平与制程迭代速度。在量检测设备体系中，电子束关键尺寸量测设备（CD-SEM）又是先进制程晶圆良率控制的核心装备之一，也是目前国产化率第二低的半导体设备品类，仅次于光刻机，在业内有“小光刻机”之称，是我国半导体产业链自主可控进程中亟待突破的关键短板。
惠然微电子技术有限公司是国内专注于半导体量检测设备领域的创新企业，也是目前国内以攻克电子束核心技术为主营业务的公司，产品线全面覆盖关键尺寸量测设备CD-SEM、电子束缺陷检测设备EBI、科研用扫描电镜SEM、聚焦离子束FIB-SEM等，形成12英寸与6/8英寸多应用场景的软硬件产品矩阵，并率先将AI技术引入微观量测分析系统。近日，集微网专访了惠然微电子董事长王志刚博士，围绕电子束量测设备的产业痛点、国产化突破路径、AI技术落地、产品矩阵布局与产业协同等话题展开深入探讨。
惠然微电子董事长王志刚博士
CD-SEM国产化面临三重壁垒
在半导体制造的全流程中，量检测设备承担着“看得见、量得准”的重责。采访中王志刚用一个形象的比喻阐释了其中的关键性：“制造出来的图案、最终的器件性能，必须能够看得到、量得准，才能做到工艺管控。”否则一切无从谈起。
从技术实现方式上，量检测设备又可分为光学和电子束两条路线：光学量测的速度快，电子束量测的精度高，两者各有所长。但随着半导体制程持续微缩，量测精度需求也呈指数级上升，光学路线的物理极限正在逐渐显现。“当线宽从1000纳米缩小到100纳米时，原本可以允许10纳米的量测误差，就无法被容许了。这时量测精度往往会被提升到1纳米甚至亚纳米级别。”
在先进制程持续迭代演进的同时，3D NAND、3D DRAM、GAA环绕栅极架构、背面供电以及先进封装等新技术也在加速落地，而器件向高纵横比三维堆叠结构方向的发展，更对传统量检测手段提出全新挑战。这些因素的共同作用，就使得以CD‑SEM 为代表的电子束量检测技术，在先进工艺管控中的战略价值持续提升。
然而，CD-SEM恰恰是国产化率极低的关键设备品类。如果说光刻机是目前国产化率最低的半导体设备，那么第二低的就是量检测设备。量检测设备中难度最高的又是电子束技术方向。
王志刚将实现CD-SEM国产化的核心壁垒总结为三个层面：一是跨学科的技术集成。电子束量检测设备涉及电子光学、真空系统、精密机械、电气控制、软件算法、图像处理、材料科学等多个学科，是一个高度复杂的精密工业体系。二是经验与know-how的积累。“给你图纸你可能也造不出来”，这是一句挺扎心的话，但在一定程度上是事实。国际厂商在CD-SEM领域已经积累了超过40年的经验，从系统设计、工艺适配到调试技巧，形成了深厚的技术护城河，不是国产设备厂短短几年就能追平的。三是供应链壁垒。国产配套供应商在关键部件的性能、可靠性和寿命等方面仍需持续迭代打磨。
具体到产品层面，用户对CD-SEM的各项核心指标也有着极高的要求：分辨率要更高（看得更小），量测重复性要量得更准（量测重复性指标），产能要跑得更快（Throughput）。而且这三者之间又是相互制约的——量得更准往往需要更多时间，看得更细就可能需要牺牲生产效率，如何在三者之间找到最优平衡，是考核CD-SEM设备厂的核心竞争力所在。
惠然微的双线产品布局与商业落地
作为国内为数不多专注于电子束量检测的创新企业，惠然微已经在CD-SEM、EBI等量检测设备赛道深耕多年，并基于公司核心的电子束共性技术平台，形成了“半导体+泛半导体/科仪”的双线布局。
惠然半导体量检测产品矩阵
惠然科学仪器产品矩阵
在半导体主线上，惠然微CD-SEM“赋”系列覆盖12英寸与6/8英寸两大产品线：12英寸产品面向先进逻辑与存储制程；6/8英寸产品主打功率半导体、光电子及第三代半导体场景，兼容6英寸与8英寸晶圆。
根据王志刚的介绍，在产品策略上公司将同时推进晶圆CD-SEM和光掩模版CD-SEM两条产品路线：晶圆CD-SEM覆盖8英寸和12英寸两大应用场景，并持续向2x/1x先进工艺节点迭代；而光掩模版CD-SEM是惠然微实现产品差异化的亮点之一，该设备和晶圆设备的协同工作可实现光掩模版图形与晶圆图形的同点同算法的关键尺寸量测，实现掩模量测数据与晶圆量测数据的联动分析，以此完成光刻工艺性能评估，进而为晶圆厂光刻工艺管控提供行之有效的解决方案，助力攻克半导体国产化进程中的最关键“卡脖子”难题。
据记者了解，惠然微将在即将举办的第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）上发布多款重磅新品，其中就包括14纳米研发级和22纳米量产级12英寸晶圆CD-SEM eMILO-FW300、光掩模版关键尺寸量测设备Mask CD-SEM eMILO-FR7，以及AI-电子束量测技术平台RMS等。这些产品均已达到国内领先水平，可与国际同类产品对标，甚至部分产品属于国内首创。下一步，惠然微将力争实现国内首台光掩模版关键尺寸量测设备的产品化落地。
惠然赋系列CD-SEM eMILO-FW300
而在电子束缺陷检测设备（EBI）领域，公司还推出了“比”系列产品，其中涵盖eIB 3001（高分辨检测）与eIB 3101（高速检测）两款高精密机型。该系列设备可通过智能算法，快速检测晶圆刻蚀图形的电性缺陷与物理缺陷。公司还延伸布局聚焦离子束（FIB）设备，实现“量测+加工”一体化——FIB切割后可直接通过电子束完成量测验证，未来可实现全流程自动化。在泛半导体/科学仪器线，公司推出S6000-SEMI产业型热场发射扫描电镜，具备高性能、便携式、可移动特点，可覆盖器件量测、缺陷检测与电子束光刻等场景。
更重要的是，惠然微在CD-SEM等量检测设备的商业化进程中，已经迈出坚实的步伐。商业化落地一向是考核半导体设备技术成果转化成效与产业化价值的最关键指标，以CD-SEM为例，作为晶圆厂量产线的“上线设备”，无论是光刻工艺还是刻蚀工艺，都要在完成相应节点的工艺后进行量测流程，以检测工艺效果，确保产品的最终良率。因此，晶圆厂对于CD-SEM的上线测试乃至规模应用都会特别审慎。国产设备要想进入量产线，首先就要与产线上存量的国际巨头设备实现量测数据匹配（“标尺对齐”），此外还要保障长期运行的稳定性与数据的一致性，这对国产设备是极高的要求。
据了解，惠然微推出的多款量检测设备包括CD-SEM和芯片量测数据人工智能技术平台，已经在国内成熟制程工艺客户中实现量产线的导入并稳定运行；在先进制程工艺客户中也处于深度技术对接阶段。
AI 辅助释放电子束量测差异化优势
AI无疑是当前社会上的最大热点。惠然微率先探索AI与半导体设备的融合，实现AI对半导体工艺的优化，打造出公司的一大差异化优势。
根据王志刚的介绍，AI技术在量测设备中主要有三个方向的落地场景：一是研发辅助。在电子束设备的仿真设计环节，AI不仅可以辅助优化设计方案，显著提升研发效率，还能通过机器学习模型对电子光学系统进行参数优化，缩短从概念到原型的开发周期。二是工艺优化。 用户在产线上的工艺配方涉及庞大的参数群，传统调参方式效率有限。惠然微利用AI技术对这些参数进行智能处理，可以为客户提供更优的参数组合方案，提升工艺稳定性。
第三，也是AI在CD-SEM中最具价值的落地点，为图像增强。传统工况中，客户使用CD-SEM往往要在高分辨率和产能之间做取舍。扫描64帧图像的画质自然远远优于扫描1帧图像，但耗时也会高出很多倍，拖慢工艺流程。惠然微通过AI深度学习技术，基于1帧的扫描结果就可以生成接近64帧图像的画质水平，这无疑会大幅提高量测效率。根据估算，通过惠然微的AI辅助增强技术，有望将该工艺段的生产效率提升10倍以上。
除硬件产品外，惠然微还配套推出智能量测软件平台，并将AI技术与之相结合。新平台能够整合多台设备的数据，实现统一的良率管理，帮助客户挖掘存量设备的数据价值——即使产线上已经部署了其他厂商的机台，也能通过这一平台实现跨设备的数据打通与智能分析，为客户提供全栈式CD-SEM解决方案。
惠然AI-电子束量测技术平台
“四层”协同战略聚力破局设备国产化
实现高端半导体设备国产化是一项系统性工程，绝非单打独斗便可达成。企业在苦练内功，推进核心产品技术攻关、依托人工智能等前沿技术开展差异化创新探索的同时，更需打通产业链各环节，汇聚产业合力，进行整体的协同突围。在这方面，王志刚也有很深的思考，并将之融入公司的实际战略之中。
在王志刚看来，当前的半导体产业正在从“单点技术竞争”迈向“产业生态竞争”。对于身处追赶进程中的中国半导体产业而言，充分发挥产业链协同效应，尤为关键。
采访中，王志刚提出了在“四个层次”上进行产业协同的发展思路：第一层是实现与终端用户的产业协同。国产设备企业应以客户的价值需求为牵引，联合不同厂商共同推动整体解决方案的落地。第二层是与科研机构及高校的协同。围绕AI等前沿技术开展产学研合作，取得成果后又可将相应的成果转到企业的实际生产中进行验证和应用。第三层是与行业伙伴的协同。通过共同推动行业标准建立和人才培养，促进行业整体水平的提升。第四层是与上游供应链的协同。与国内供应商进行联合开发，以终端产线的真实应用场景定义部件指标，可以确保国产替代方案的切实可用。
只有通过这四个层次的共同协同发展，才能打通产业链上的各个堵点，让整个产业高效发展起来，企业也能在其中真正做大做强。
在上述四个层次中，供应链协同是落地难度最大，也最具战略意义的一环。在供应链国产化方面，惠然微的实践颇具代表性。面对客观存在的海外供应限制，惠然微并非简单提出替代需求，而是向国内供应商输出基于真实应用场景的技术指标，联合开展定向开发。开发完成后，先在自有设备上进行内部验证，再导入客户端进行应用验证，设备全部合格后，方可进入量产阶段。整个流程确保了产业协同的务实推进，让国产替代不是停留在概念与纸面上。值得关注的是，惠然微的技术能力并未止步于部件层面，还进一步向材料纵深延伸——从原材料选型到表面处理工艺，均已形成自主掌控能力，力求在底层技术上实现真正自主可控。
而这种以产业协同为抓手、共同推进半导体设备国产化的实践，将在即将举办的第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）上得到集中展现。惠然微将借本次展会平台，集中展出多款自研先进量检测设备创新成果，彰显全链条自主攻关实力。展会期间，惠然微还将与战略客户签约，进一步深化公司的产业生态布局，加速产品的商业化落地进程。上述举措，充分印证了“四层”产业协同发展思路的实践价值，也为国产半导体量检测装备产业化发展提供了有力参考。
结语
客观而言，国产CD-SEM与国际龙头之间仍然存在一定技术差距，行业整体尚处于追赶阶段。但正如王志刚所判断的，未来3-5年将是国内电子束量测领域的加速追赶期。惠然微将持续深耕核心技术自主研发，深度赋能科技自立自强，坚持非对称突破和差异化创新并举，力争在重点细分场景与关键技术方向形成自身核心竞争优势。惠然微电子的战略愿景十分清晰：致力于成为国内电子束量测领域的领军企业，推动国产半导体量测装备的自主可控；同时以设备需求带动上游供应链、基础加工产业向高端升级，实现产业上的整体突破。
3.昂瑞微半年报解读：新兴赛道多点开花 成长空间持续打开
2026年上半年，射频前端行业分化加剧，传统智能手机市场进入存量调整期，而卫星通信、车载电子、低空经济、AIoT等新兴需求持续释放，成为射频与模拟芯片厂商的核心增长引擎。8月27日，昂瑞微发布2026年半年度报告，在行业周期底部的背景下，公司交出了“营收短期承压、盈利结构改善、新兴业务加速落地”的成绩单。
半年报数据显示，公司上半年实现营业收入7.73亿元，同比下降8.35%；归属于上市公司股东的净利润1.56亿元，较上年同期增加1.96亿元，实现扭亏为盈；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-1.50亿元，较上年同期增亏0.89亿元，反映出主业仍受行业周期下行拖累。
二级市场对公司新兴赛道的突破进展给予了积极反馈。报告披露当日，昂瑞微股价强势涨停，截至收盘报114.10元。凸显资本市场看好昂瑞微传统基本盘加速向高端升级、新增长曲线正加速成形、多维度新兴赛道进入量产兑现期，三大业务线协同发力的成长逻辑正在加速兑现，中长期成长空间逐步打开。
第二、第三增长曲线全面起势，新兴赛道进入量产兑现期
昂瑞微在传统射频基本盘推进产品结构升级、对冲行业下行压力的同时，围绕射频前端、射频SoC、其他模拟芯片三大业务线的多维度新兴赛道已进入量产落地与规模出货阶段。
从产品结构来看，2026年上半年昂瑞微射频前端芯片收入5.37亿元，占比69.40%；射频SoC芯片收入2.26亿元，同比增长49.77%，占比29.27%持续提升，对业绩贡献进一步加强，产品结构正向第二曲线加速转型。与此同时，射频SoC与其他模拟芯片产品线收入合计同比增长51.24%，新兴赛道正成为昂瑞微打开增量空间的核心引擎，第二、第三成长曲线表现亮眼。
在手机卫星通信领域，公司支持北斗、天通及低轨的三合一卫星通信PA已在品牌手机客户实现规模出货，是国内少数实现该品类大规模商用的厂商。随着卫星通信逐步成为旗舰手机标配，渗透率持续提升，公司凭借先发卡位与技术优势，有望充分享受赛道增长红利。
车载射频方面，公司多款5G车规级射频前端模组已成功通过AEC-Q100 Grade 2测试认证，满足-40℃至105℃的宽温要求，可应用于智能网联/T-Box中的NAD模块、V2X等智驾通信领域，并已在知名车企中实现应用。智能汽车带动车载射频单机价值量与需求规模双升，车规级产品认证壁垒高，公司及产品落地标志着正式打开汽车电子这一长期增量市场。
低空经济领域，公司射频产品已导入低空经济领域知名头部客户并实现量产。开关类产品已在品牌客户实现量产出货，图传FEM、LNA产品持续导入核心客户，第二代更高效率图传FEM正处于开发阶段。低空经济作为政策与产业双重驱动的新蓝海，公司提前布局将形成新的业绩增长点。
其他模拟芯片细分赛道同样多点突破。公司围绕电池管理、通用电源、射频电源三大产品线展开布局，已成功导入智能终端、无线外设、可穿戴设备、智慧医疗等领域，成为新的业绩增长点。电量计等产品切入智能终端、IPC、健康医疗等高潜力细分场景，从0到1突破后，将持续丰富产品矩阵、推进定制化项目，逐步成长为新的业绩补充。
值得注意的是，射频SoC芯片毛利率达29.49%，模拟芯片等其他产品和服务毛利率达63.42%，显著高于公司整体毛利率水平，可见新兴业务的快速发展不仅为公司打开增量成长空间，还对稳定整体毛利率起到关键作用，让公司在一众以单一射频前端为主营的厂商中具备更强的经营灵活性和抗周期韧性。
行业周期底部承压，龙头以结构升级筑牢基本盘韧性
在传统射频前端主业层面，行业正面临智能手机出货存量调整、中低端产品同质化竞争加剧、利润空间收窄的压力；与此同时，高端高集成度模组赛道技术壁垒高，行业集中度持续提升，国内头部厂商凭借技术积累加速推进国产替代。
作为国内射频前端核心厂商，昂瑞微凭借多年研发投入形成的品牌与客户壁垒，已进入多家头部终端品牌供应链，在行业分化格局中占据有利位置。报告期内，公司加速推进产品结构升级，应用于高端机型的5G收发模组高集成度L-PAMiD持续出货；高集成度的5G Phase8L模组已顺利在品牌客户规模量产；同步推进多种规格Phase8模组产品向多个品牌客户送样验证，并进一步将5G L-PAMiD模组产品拓展至多元智能终端品牌。
公司整体产品结构围绕超薄化、小型化、高性能三大方向从分立器件向高价值模组升级，单机价值量稳步提升，在手机整体需求偏弱的背景下，高端产品占比提升成为公司射频业务“以价补量”、穿越周期的核心支撑。
值得关注的是，公司经营活动产生的现金流量净额为-1.96亿元，上年同期为0.75亿元，同比降低361.54%。主要原因系报告期内公司提前加大晶圆等原材料备货采购规模，向供应商购买原材料支付的现金同比增加，以及研发费用等各项费用增加。这一变化反映出公司正积极为后续产能放量做战略储备。
盈利韧性亦有体现。2026年上半年面对上游原材料价格上行、AI产业带动半导体产能偏紧的行业环境，公司通过灵活调整产品价格、优化产品组合、推进上游物料国产替代等方式对冲毛利压力，整体毛利率稳定20%以上，盈利端稳定性有望延续。
持续深化研发投入，抢抓新一代通信产业机遇
穿越行业周期的核心底气，源于持续的技术研发投入。2026年上半年，昂瑞微持续加大研发投入，为未来业绩爆发提前蓄力。研发费用达到1.63亿元，同比增长17.95%，占营业收入比例达21.11%，较上年同期的16.40%增加4.71个百分点。研发人员数量为277人，占公司总人数比例达51.30%，同比上升5.04个百分点。
截至报告期末，昂瑞微现行有效知识产权累计371项，其中发明专利77项。核心技术已广泛应用于射频前端芯片、射频SoC芯片等领域。昂瑞微逆势加大研发投入，体现出加速产品迭代与技术升级的战略定力。
根据《射频产业现状-2026版》预测，自2029年起，受6G早期大规模MIMO技术部署推动，电信基础设施市场预计将再次加速发展，并进一步带动移动终端市场增加6G射频器件的配置。面向下一代通信技术，昂瑞微正积极跟进6G通信标准演进，开展6G前瞻技术布局与积累，围绕6G相关射频技术做好前沿储备，保障公司在下一代通信周期中保持技术竞争力，巩固长期行业地位。
从募投项目进展来看，5G射频前端芯片及模组研发和产业化升级项目累计投入1.23亿元，投入进度11.20%；射频SoC研发及产业化升级项目累计投入7070.56万元，投入进度17.33%。随着各项目持续推进，公司技术储备与产品矩阵有望进一步夯实。
结语
2026年上半年，昂瑞微在传统手机射频业务承压的背景下，凭借射频SoC业务49.77%的同比增长以及新兴赛道的多点突破，展现出传统主业结构升级、新兴业务加速放量的良性发展格局。归母净利润扭亏为盈、高端模组持续演进、车规与手机卫星通信产品规模化落地，均验证了公司长期技术积累与战略布局的有效性。
在行业周期底部，营收下滑与研发加码的双重压力将持续考验公司的经营韧性。尽管扣非净利润仍处亏损、经营现金流阶段性承压，但这更多反映了公司在行业周期底部逆势投入、为下一阶段成长蓄力的战略选择。随着5G Phase 8L模组、三合一卫星通信PA、车规级产品等高端与新兴业务的持续放量，以及6G前瞻布局的逐步落地，昂瑞微有望持续拓宽成长边界，在射频与模拟芯片赛道稳步迈向高质量长效发展。
4.从丢失中国客户到稀土供应链承压，美国五大半导体公司齐曝出口管制“后坐力”
过去半个月里，英伟达、应用材料、新思科技、Marvell和朗美通五家美国半导体及光通信龙头企业，相继在提交给美国证券交易委员会（SEC）的定期报告中，大幅扩充了出口管制相关风险的篇幅。翻阅这些最新披露，一个清晰的信号浮现出来——美国对华出口管制的影响早已不局限于“能不能卖”，而是已经渗透到库存消化、客户关系、合规成本乃至全球供应链的更深层面。与此同时，中国在稀土和关键矿产领域的出口管制，也首次大规模出现在这些企业的经营风险描述中，部分公司甚至已经实实在在感受到了压力。
英伟达：H200许可证拿到了，货却卖不动
8月26日，英伟达在10-Q文件中详细交代了H200对华出口的尴尬处境。美国政府从2026年2月起陆续向英伟达发放对特定中国客户出口H200的许可证，但实际执行远没有想象中顺利——中国方面的限制使得已获许可的产品也无法全部交付。整个2027财年上半年，英伟达因此不得不为过剩的H200库存和相关采购义务计提了约4亿美元的费用。而即便计提之后，实际完成的出货量也微乎其微，这些H200的销售额在最近一个季度的数据中心业务收入中占比尚不足1%。
更棘手的是，按照现行流程，H200在交付中国客户前必须先运回美国接受检查，这意味着每颗芯片进入美国时都要被征收25%的关税。英伟达坦承，目前这笔成本完全无法转嫁给客户，即便未来能继续对华销售，公司也不认为有转嫁关税的可能性。
这份报告还透露出一个更悲观的判断：H200有限的恢复供应，并没有改变英伟达在中国数据中心市场的整体颓势。公司直言，自己实际上已经彻底退出了中国数据中心计算市场的竞争——游戏GPU和工作站GPU等不受管制的产品虽仍可销售，但核心的计算市场早已拱手让人。而这恰恰为竞争对手扩大开发生态和客户基础提供了机会，甚至可能在全球范围内增强它们挑战英伟达的能力。
英伟达还特别提到，出口管制的连锁反应早已溢出中国。许可证制度让售前和售后支持变得复杂而充满不确定性，中国和中东的客户开始转向欧洲、以色列甚至中国的替代供应商；即便是中国以外的客户，也可能为了规避未来的管制风险，主动在产品设计中减少美国半导体的使用。欧洲、拉美和东南亚的市场需求已经受到波及。
欧洲的情况尤为特殊。美国目前已对部分游戏GPU实施出口管制，如果限制范围进一步扩大，可能会打乱英伟达在全球范围内——包括美国和欧洲——的供应和分销链条。而法国竞争管理局正在研究游戏GPU和数据中心GPU是否应归为不同产品类别，这项调查本身就可能影响游戏GPU在法国和整个欧洲市场所适用的出口管制规则。
朗美通：中国稀土管制已经“动到肉”了
与英伟达的“销售端困境”不同，光通信企业朗美通遭遇的是来自供应链端的实质性打击。8月17日提交的2026财年10-K文件中，公司明确表示，中国对稀土金属和其他关键矿产的出口管制已经对其供应链和经营产生了实际的不利影响——不仅影响自身的采购成本和可获得性，也波及了客户端的供应。
文件还透露了一个耐人寻味的细节：中国针对日本实施的出口限制，已经直接影响到朗美通的全球基板供应链。这意味着中国的管制措施并非只针对美国，而是通过影响第三国间接传导到了这家美国企业身上。
朗美通还深陷另一重麻烦。2023年内部审查中，公司认定部分产品可能属于《出口管理条例》（EAR）管辖范围，因此受到向某中国公司出口的限制——这家公司曾是朗美通在中国最大的网络设备客户。公司随即停止了相关产品出货，2024年初更是彻底中断了全部产品对该客户的供应。
随后，朗美通向BIS提交了自愿披露，并于2024年4月补充了材料。当年8月，BIS和美国司法部分别发出调查要求，公司目前仍在配合两家机构的持续审查，无法预测结果。在现行政策下，朗美通与该客户之间的业务已完全冻结，连未来产品的联合开发也无法进行。
这家公司因此成为“双面夹击”的典型案例——美国对华出口管制让它丢掉了重要的中国客户，而中国的稀土和关键矿产管制又从供应链另一头挤压它的运营。
应用材料：设备卖不动，稀土买不到，还要交2.53亿美元“学费”
应用材料在8月20日的10-Q文件中，将美国对华半导体设备出口管制列为影响中国业务的首要因素。近年来美国不断扩大对中国晶圆制造设备、零部件和服务的出口限制，已经压缩了部分产品在中国的市场空间，同时加剧了来自本土设备企业和第三国竞争对手的压力。
与此同时，中国的稀土出口管制也开始出现在应用材料的供应链风险清单中。公司表示，中国政府2025年起对部分稀土矿产实施出口管制，而这些材料恰恰被用于应用材料的部分产品，中国未来还可能出台进一步限制措施。
除了销售端和供应端，应用材料还要为历史合规问题持续“买单”。今年2月，公司与BIS就部分中国客户出货问题达成和解，同意支付2.53亿美元——这笔款项已在2026财年第二季度全额付清。和解协议还要求公司对出口管制合规体系进行内部审计，并维持合规培训和报告机制。BIS同时对应用材料签发了一项缓期执行的拒绝令，如果公司能在三年内按时完成审计要求，这项拒绝令将免予执行；否则，拒绝令生效后公司将直接被禁止从美国出口任何产品。
新思科技：限制虽然撤销了，但伤害已经留下
EDA巨头新思科技在8月26日的10-Q文件中，把焦点放在了政策反复带来的不确定性上。BIS近年来持续调整针对中国的EDA软件出口管制，包括将部分中国科技企业列入实体清单，限制用于特定集成电路开发的电子计算机辅助设计软件，以及涉及多芯片或Chiplet先进封装的相关工具。
公司特别提到，BIS在2025财年第三季度实施、后来又撤销的部分中国出口限制，已经对其中国的Design IP业务造成了实际伤害——即便限制已经取消，影响仍在持续反映在中国市场的设计项目启动和其他业务活动中。
新思科技的业务高度依赖新设计项目的启动，而中美贸易政策和出口限制仍处于持续变化之中。公司担心，如果美国未来追加新的出口限制或扩大许可证要求，中国业务还会进一步承压。
Marvell：42%收入与中国出货相关，稀土管制列入风险清单
Marvell在8月28日的10-Q文件中披露了一个引人注目的数字：按出货目的地计算，最近一季度向中国的出货对应净收入约11.62亿美元，占总收入的42%。不过公司特意解释，这一口径并不代表终端客户所在地，其中绝大部分面向的是在中国设有工厂或代工业务的非中国客户。
在出口管制方面，实体清单的限制已经抑制了部分产品需求，向部分中国客户的销售需要取得出口许可证——而过去许可证的申请曾出现延迟或拒绝的情况，未来能否获批也充满变数，即便拿到手的许可证也可能因政策变化而被撤销。
Marvell还特别关注美国政府在出口许可证中加入经济条件的做法。2025年，部分美国半导体公司被要求以向美国政府缴纳中国相关销售收入15%的费用作为取得和维持许可证的前提；2026年1月，BIS又出台了涉及关税和其他要求的新许可政策。虽然这些措施目前尚未直接波及Marvell，但公司担忧，如果类似机制未来适用于自身，可能侵蚀毛利率、削弱定价灵活性，甚至迫使公司缩减或停止部分中国销售。
中国的稀土出口管制同样被Marvell列入了风险因素。公司指出，中国过去已多次将稀土供应作为地缘政治工具，未来也可能继续如此。不过在现阶段，Marvell预计已宣布的相关限制不会对其产生重大影响。
几点观察
把五家企业的披露放在一起看，有两条清晰的主线贯穿其中。
第一条主线是“销售端的多米诺骨牌”。美国出口管制不再是一个简单的“能卖不能卖”的问题——英伟达为卖不出去的H200计提了4亿美元费用，却依然无法收回成本；朗美通失去了曾经最大的中国客户，连未来的产品开发合作都完全停摆；应用材料既要面对中国市场的竞争压力，还要为过去的合规问题持续支付真金白银；新思科技即便等来了部分限制撤销，失去的设计项目和客户信任却难以挽回。
第二条主线是“供应链端的反向压力”。朗美通、应用材料和Marvell都在最新报告中明确将中国的稀土和关键矿产出口管制列为风险项——其中朗美通已经受到了实质性冲击，其他两家也已在密切监测。这意味着中国的政策工具正在从“被动应对”转向“主动施压”，且影响正通过全球供应链网络传导至美国企业。
两条线交织在一起，形成了一幅复杂的图景：美国的出口管制固然限制了中国市场的供给，但也在反噬本国企业的营收、库存、客户关系和全球运营网络；而中国的反制措施则在供应链的另一端施加压力。对这几家横跨美国、中国、欧洲、日本和东南亚市场的企业来说，出口管制早已不是简单的“合规问题”，而是正在重塑它们的市场格局、客户结构乃至全球生产布局的系统性变量。
5.高通侯纪磊：打造AI研发“飞轮” 智能体手机尚存三大挑战
近日，高通在圣迭戈总部举办6G技术日活动，多位高通高管、行业嘉宾集中对外解读高通面向AI时代的6G发展构想，系统阐述了其依托“连接、感知、计算”三大支柱，引领下一代移动通信演进的产业布局，并对相关技术进行了演示。
活动期间，高通AI工程团队的负责人——高通公司工程技术高级副总裁侯纪磊接受了集微网等媒体采访，围绕高通在AI工程研发、数据中心与HBC架构、智能体手机等热点话题进行了观点分享。
打造研发“飞轮”点赞中国团队
侯纪磊领导的AI工程技术团队（AI Engineering Organization）包括研发（Research），系统（Systems），商用软件（Commercial Software），还有开发者AI平台（Developer-facing AI Hub）等部门。在侯纪磊看来，团队体系构建之初，就是为了保证强有力的端到端功能。
“高通在AI领域的研究和产品保持强耦合。如果研发人员只是把研究成果做出来，直接交给产品团队，让产品团队自己去摸索如何落地；而产品团队又只是解决客户需求，两者之间就会出现脱节。因此，研发和产品之间必须形成一个‘飞轮’，整个体系才能有生命力。”侯纪磊说。
所谓“飞轮”，侯纪磊进一步解释，就是如果从技术导向看到的创新，一定要有很强的驱动力去思考它能否落地到产品中；另一方面，当产品在真实世界的应用过程中遇到实际问题时，也必须有足够强的驱动力将这些问题放到研发体系里面去解决。因此，研发驱动产品、产品反哺研发，二者通过“飞轮效应”紧密结合在一起。
侯纪磊强调，在当前的AI环境中固然需要创新，但把创新落地到产品中的速度可能更重要。从这个角度来看，研发的意义不仅仅是做出一些炫酷的技术，更重要的是推动产品快速落地。高通也在思考如何把速度体现出来。
对于中国研发团队，侯纪磊也给予了很高评价。他认为，从全球研发布局的角度，中国研发团队本身就是非常重要的研发力量。其中，通信团队在研发与标准层面，发挥了非常重要的支撑和协调作用。AI团队则更注重市场需求和应用场景，在确保解决方案能够非常好地支持本地市场和客户方面，发挥了重要的研发支撑作用。
深化与端云大模型公司合作
随着端侧AI能力快速普及，芯片企业与大模型厂商之间的协作正变得愈发紧密。
针对同大模型厂商合作策略的问题，侯纪磊表示，合作多的模型厂商，在很多发展方向上与高通一致。
以手机和汽车为例，很多模型厂商需要面对三五家甚至更多OEM客户，因为这些厂商都有可能对他们的模型感兴趣。模型厂商主要位于模型层，而高通位于更底层的芯片平台层。手机和汽车都是高通在中国市场的重要业务领域。因此高通接触的OEM，以及需要在高通平台上进行适配和优化的OEM，与模型厂商面对的客户实际上有很高的重合度，数量可能达到三五十家。
“在这种情况下就会产生一个问题：模型厂商是否需要分别与众多OEM逐一合作，我们也同步进行类似工作；还是应该先由高通和这些模型厂商进行深入的适配和优化，形成成熟的参考方案，再把它推广给更多客户？从规模化的角度来看，后一种方式对于模型厂商和高通都更有优势。大家不需要针对每一家客户重复做一遍，而是先共同把方案做好，再一起推向更多客户。”侯纪磊说。
实际上，这样的方式，从生态层面理解，高通先与模型厂商进行对接和优化，再向OEM推广，就可以减少OEM分别对接多家模型厂商的成本和时间。
据侯纪磊介绍，目前，高通已经在与两家非常重要的模型厂商推进这样的合作。未来，高通希望与更多模型厂商开展类似工作。
“无论是目前的端侧推理平台，还是未来可能拓展到云端的推理平台，我们都希望在推理层面为各种AI入口提供支撑，发挥一个平台的作用。”侯纪磊说。
对数据中心业务充满信心
在今年6月的投资者日上，高通宣布进军数据中心市场，并重磅发布了HBC（高带宽计算）技术。进军数据中心成为高通业务多元化战略的重要拼图，助力其构建从端到云的全栈能力。
多年来，高通的技术路线优势更多在端侧，不管是生成式AI、智能体AI等新的技术方向出现，都能站在行业发展的前沿。
那么，高通如何借助端侧优势去实现数据中心业务的拓展？
侯纪磊表示，无论是端侧还是云侧，从研发角度看到一个核心的重要共同点，是模型效率（model efficiency，每瓦性能或每焦推理性能），本质上是在单位能量范围之内尽可能优化计算。高通在端侧AI领域投入多年，在相对较小的大语言模型部署上带来很多技术创新，包括低比特量化、多词元生成（multi-token generation）、近存计算、稀疏注意力，以及长上下文处理等。这些创新在技术角度是互通的，只是端云侧参数量级不同。
由于技术上的共通，因此将端侧的很多技术迁移到云侧实际上更容易。但挑战在于，这些技术真正进入到云侧之后，从模型和系统这一层面有很多的优化工作要去完成。在芯片层面，高通陆续发布了包括飞龙AI100、AI200、AI250、AI300在内的多代AI推理加速器产品。
侯纪磊透露，高通目前希望将HBC作为切入点率先进入市场，逐步将高通在端侧积累的系统级、算法级优化能力融入其中，形成差异化优势。同时，高通完成了对Modular的收购，在整个云端软件栈层面，整合更多软件能力。这将使高通更好地把握重要市场机遇。在此之外，高通的一些端侧技术和其他技术储备，也将逐渐通过产品技术路线图的演进融合，形成更强的协同效应。
“总体来看，目前的数据中心业务工作都在稳步进行中。对于高通在数据中心的发展势头还有未来下一步的业务拓展空间，我都很有信心。”侯纪磊说。
详解HBC优势：突破“内存墙”、更优综合性价比
高通的HBC作为一种“近存计算”架构，一经推出便受到市场的关注。
现代AI背后的大规模生成式模型，它们的性能不再由芯片计算的速度决定，而是由数据能够以多快的速度、多低的成本被送到计算之处决定，即“内存墙”。而HBC的创新在于，让计算更靠近内存本身，可供计算使用的有效内存带宽是内存的内部带宽，而非狭窄的外部接口带宽，最终带来速度、能效和成本上的优异表现。
侯纪磊介绍，从创新角度而言，HBC实际上是高通两三年前就在数据中心领域开始投入的方向。一些主流数据中心及大模型公司在交流时，也都表示出对HBC兴趣。
从AI技术层面，侯纪磊对HBC的优势进行了进一步的深度解读。他表示，语言模型在执行任务或者处理复杂事件时，与人类的交互通常会包括预填阶段（Prefill）和解码阶段（Decode）两个过程。
预填指的是给模型一个任务，告诉它要做什么事，相当于一个需求规范；而解码指的是模型接收到需求规范后，需要完成任务并输出结果。预填相对来讲是一个计算密集型的阶段，解码相对来讲是一个带宽密集型的阶段。
在带宽密集的阶段，HBC与传统的HBM相比，一方面减少了整个电路板的面积，因为把计算单元和内存单元在三维空间里实现了堆叠。另一方面，由于相同带宽下成本比HBM低很多，所以在带宽受限的场景下，要达到相同性能，HBC在综合性价比上更占优势，而这也是很多客户的普遍痛点。
“目前HBC方案也得到了一些大型存储器厂商的认可。一方面高通要自己推动HBC的研究，另一方面也需要与存储器厂商合作。如果客户不认可，存储器厂商也不会去跟进。因此产业各方正在形成共识，希望通过紧密合作，共同推动HBC的落地。 所以总体而言，这是一个非常积极且良好的趋势。我们认为在面向prefill和decode这些大模型处理场景，推动HBC的应用，无论是对高通还是客户，都能够带来实际价值。”侯纪磊说。
智能体手机尚存三大挑战
今年是智能体AI元年，可以看到，传统手机厂商强化手机产品的AI能力，字节、阶跃星辰等新玩家也切入手机赛道，相继推出主打智能体概念的手机产品。
侯纪磊认同智能手机作为智能体的承载终端这一方向，但他同时也指出了当前存在几方面的挑战。
首先，是用户隐私保护以及生态厂商的协同合作。侯纪磊强调，智能体手机的关键不仅在于AI技术本身是否成熟，还在于如何理顺消费者、开发者以及整个生态中各方的角色关系，最终实现行业共生，这可能需要一些发展时间和空间。
其次，如果智能体执行所有任务都要调用云端大模型，成本会非常高，手机厂商难以承受。如果在端侧运行，则还要考虑功耗、模型准确度等问题，端侧小模型的质量也需要不断打磨和提升。因此，技术层面同样还有进一步提升的空间。
最后，用户用例、具体任务以及整体体验也需要不断打磨。
“问题不仅在于有没有智能体这项能力，还在于这项能力能不能真正转化为顺手、自然、不会让用户反感的体验，这同样需要不断迭代。”侯纪磊说。
6.1.49万亿元！我国前7个月集成电路出口同比增长91.6%
今年前7个月，我国集成电路出口交出了一份亮眼的成绩单——累计出口额达1.49万亿元，同比增长91.6%。国家发展改革委政策研究室副主任、新闻发言人李超在近日举行的例行新闻发布会上表示，中国集成电路产业正加快成长为具备全球竞争力的新兴支柱产业，基础坚实、空间广阔、动能充沛。
李超将今年以来的产业发展态势归纳为四个突出特点。
核心技术的突破正在加速。 高端芯片设计和制造能力持续提升，功率半导体、化合物半导体等特色工艺正加快形成差异化竞争优势，先进封装和存储器等关键领域也在不断取得新进展。
企业端的表现同样可圈可点。 产业链各环节骨干企业业绩普遍向好。截至8月27日，已披露财报的上市公司上半年营业收入同比增长12.8%，净利润同比增幅更是达到99%。与此同时，相关企业在新技术研发上的投入力度不减，研发费用同比增长13.4%。投资扩产的节奏也在同步加快，前7个月集成电路制造业投资同比增长11.5%，为后续发展积蓄了充足后劲。
产能利用率持续高位运行。 上半年，国内主要晶圆代工企业产能利用率均保持在90%以上，各类工艺产能稳步放量，有效满足了车规级、工业级等多类型芯片的制造需求，产销两旺的态势十分明显。
产业链的安全水平也在显著提升。 国产集成电路设备和材料的品类不断丰富，应用规模稳步增长，整个产业正从过去的“单点突破”向“全链条协同”跃升。
谈及下一步的工作重点，李超表示，国家发改委将继续聚焦“十五五”规划《纲要》的部署要求，发挥新型举国体制优势，全链条推动集成电路关键核心技术攻关取得决定性突破，促进产业高质量发展，为中国经济持续向新、向优、向好发展作出更大贡献。
