聚灿光电“协同反射架构”导入银镜芯片项目

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9月7日,聚灿光电对外披露,公司自研“协同反射架构”工艺已经导入银镜主力产品实现量产。该工艺将为年产600万片银镜倒装芯片技改项目提供技术支撑,助力项目推进落地。

倒装LED芯片反射层设计长期存在行业技术矛盾,银材料反射率高,但工艺覆盖存在局限。同时,DBR结构可以实现全覆盖,但综合反射率存在上限。据企业介绍,聚灿光电“协同反射架构”依靠三层结构协同工作,底层优化沉积界面,中间层承担主要反射,外层补充边缘区域,以此提升芯片整体反射水平。公司披露数据显示,该方案银镜反射率可达97%以上,光提取效率提升10%以上,光效、大电流承载能力优于传统方案。

该工艺现已导入主力银镜产品。2026年上半年,聚灿光电银镜产品收入同比增长101.69%,产品售价约为普通芯片产品的1.5倍。企业披露,对应产品结温可降低20℃以上,同等亮度条件下功耗下降10%-15%。银镜等高附加值产品出货提升,带动公司主营业务实现增长。

年产600万片银镜倒装芯片技改项目总投资4亿元,规划达产后年产值超5亿元,净增值超2亿元,项目目前处于产能爬坡阶段。聚灿光电表示,在通用芯片价格承压的行业环境下,银镜倒装产品依托架构优势,有望维持相对稳定的价格与订单。

(校对/李正操)

责编: 李正操
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