9月28日，先导科技集团旗下先导芯光电子科技（武汉）有限公司晶圆厂在武汉东湖综保区正式通线。该厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心，建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料大尺寸光电芯片平台。通线后，基地由建设期转入工艺认证与产品导入阶段，产能尚未释放之际，已先行承接海外客户面向下一代单模400G光互连的联合研制预研订单。
从产线布局看，两条产线各有侧重。磷化铟产线面向光通信主干，覆盖激光器、调制器、探测器等光器件，同时承载高速电器件工艺，使光芯片与电芯片可在同一条产线上完成；砷化镓产线覆盖垂直腔面发射激光器等器件及射频工艺，兼顾光通信与射频两类产品。该平台将以晶圆代工与联合研制两种方式向产业链开放。
订单层面，先导科技集团本月联合安徽先导极星、武汉光谷量子，共同承接海外头部客户的400G光互连预研订单，涉及12项联合研制项目，后续量产均计划落地先导芯光。其中武汉光谷量子的磷化铟光芯片已在100G与200G速率形成供货，量产依托先导芯光晶圆厂。集团同期还与广州慧智微电子签署战略合作协议，就单模400G及更高速率电芯片、卫星通信射频前端芯片开展联合研制。
先导芯光项目负责人詹英祺表示，单通道400G这一代光与电已长到同一种材料上，公司要为客户提供可验证、可扩产、可长期供应的平台。集团联席总裁侯振富称，通线是集团从材料延伸至晶圆制造与芯片环节的关键一步。通线后研发批与工程批即日开跑，200G光芯片代工导入先行，400G平台各项目同步进入流片与验证阶段。
（校对/李正操）
