11 月 3 日，兆易创新（603986.SH）披露投资者关系活动记录表，公司结合产业现状，对存储芯片及 MCU 赛道供需格局、价格趋势做出系统性判断。公司认为，AI 产业高速发展带来直接需求增长与外溢效应，存储行业整体景气延续；叠加海外主流厂商收缩、转移产能、退出部分利基市场，利基型存储板块整体供应紧张格局仍将持续。
分产品维度来看，不同品类呈现出差异化的景气表现。 NOR Flash 方面，大容量规格产品预计在未来一段时期保持温和上涨态势，中小容量产品价格维持稳定。端侧 AI 应用不断迭代，设备代码存储容量需求抬升，带动大容量 NOR 产品需求提升；中小容量品类供给相对充足，价格保持平稳运行。
SLC NAND Flash受产能释放周期长制约，行业供应短缺格局预计将长时间延续。海外存储大厂将晶圆资源向 HBM、高端 3D‑NAND 倾斜，削减 2D 产线投入，SLC NAND 有效供给收缩，而工业、通信、物联网端需求稳固，供需缺口难以快速填补。
利基型 DRAM经历前期较大幅度涨价后，部分消费电子端需求已经受到价格抑制，供需矛盾虽有缓和，但整体产能供给依旧有限，短缺尚未完全解除，产品价格预计维持高位运行一段时间。国际厂商把产能优先投向服务器高端 DRAM，利基赛道新增供给偏少，是支撑价格高位的核心因素。
除存储业务外，MCU 产品受益工业、能源赛道需求持续扩容，行业景气向上，预计价格将迎来一段时期的温和上涨。工业自动化、新能源相关设备出货增长，带动对高可靠性微控制器的采购需求提升。
公司表示，本轮利基存储行情是 AI 需求拉动与供给端收缩共振的结果。头部厂商产能向高附加值 HBM、高端 DRAM 迁移，主动退出部分利基细分市场，进一步放大成熟制程存储芯片的供需缺口。
