据报道，三星电子旗下晶圆代工业务有望获得AMD的大额订单，双方计划合作量产用于下一代高带宽内存（HBM）的基底裸片。
知情人士称，AMD可能已承诺使用三星位于美国得州的泰勒二期（Taylor 2）晶圆厂几乎全部的初始产能。这意味着该工厂在投产初期可供其他客户使用的产能将十分有限。此前，三星已为首座泰勒工厂争取到特斯拉的汽车芯片订单。
按照目前披露的合作安排，三星将在美国得州工厂生产HBM所需的逻辑基底裸片，随后将其与韩国本土存储器工厂制造的DRAM进行键合，最终提供完整的HBM产品。
Taylor 2工厂占地面积据称约为270万平方英尺，规模约为首座Taylor工厂的1.5倍。三星已经完成场地准备工作，核心厂房建设即将启动，并计划在2029年2月开始搬入生产设备，目标是在2030年利用其先进的2纳米工艺实现商业化量产。
不过，AMD与三星的合作并不意味着英伟达也会采用相同方案。此前有报道称，英伟达曾要求包括三星、SK海力士和美光在内的内存供应商，统一通过台积电制造定制化NVHBM基底裸片。
通过统一由台积电生产，英伟达可以使用一致的内存控制器架构，从而减少不同晶圆代工厂可能带来的延迟、散热表现和性能差异。此外，英伟达也能避免因不同DRAM供应商提供的样品而进行重复验证，降低NVHBM技术落地的复杂度。
尽管如此，三星仍在推进自有晶圆代工工艺的测试与验证，以证明其具备生产NVHBM基底裸片的能力。随着业务重心转向HBM基底裸片开发，三星据称也能释放部分2纳米工艺资源，用于下一代Exynos 5G调制解调器等项目，以及与AMD未来开展的其他合作。
