集邦咨询（TrendForce）最新存储行业研究显示，移动 DRAM 合约价格的持续走高，正促使智能手机厂商更多采用成本更低的翻新内存（Reballed Memory，重新植球内存），这一趋势在入门级与平价机型中尤为明显。
TrendForce 预计，翻新内存在智能手机市场的渗透率将在 2026 年达到约 3%~4%，并有望在 2027 年进一步攀升至 7%~9%。目前市场上流通的翻新内存以 LPDDR4X 4GB 为主，主要应用于售价 1299 元人民币以下的 4G 智能手机。
预计 DRAM 涨势在 2027 年第一季度将进一步加剧，手机厂商的成本结构势必承受更严峻的考验。在此背景下，采用降规元器件与翻新内存的策略，或将逐步从低端向更高价位段渗透，成为各品牌应对长期内存高价周期的核心成本管控手段。
尽管翻新内存在智能手机领域的渗透率持续提升，但其应用仍主要局限于入门与平价机型。即便 2027 年装机量进一步扩大，其占全球智能手机内存年度消耗总量的比重依然有限。因此，翻新组件的增加，预计难以对当前 DRAM 合约价的上行趋势构成实质性冲击。
集邦咨询强调，翻新元器件采购渠道复杂，且批次质量一致性存在较大不确定性，这可能会削弱整机的可靠性并缩短使用寿命。此类质量风险不仅可能透支消费者信任、损害品牌口碑，还会导致后续保修与售后维修支出激增。因此，手机厂商必须在眼前节约的物料成本与长远的产品质量及售后成本之间，进行审慎权衡。
