近日，浙江晶能微电子有限公司宣布，其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。此次突破标志着晶能在IGBT技术上迈出一个“芯”的里程碑，为后续更多功率芯片的研制打下基础。
晶能自主研发IGBT流片晶圆
该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和FS结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通/开关损耗，功率密度增大约35%，综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。
晶能微电子CEO潘运滨表示：“一辆典型的新能源汽车芯片用量超过1200颗。功率半导体占比接近1/4。此次IGBT产品成功流片，是晶能在芯片国产化道路上不断探索的起点，公司将持续精进、加强研发，围绕动力总成系统中的开发需求，不断研制性能优越的芯片和模块产品。”
晶能自主研发IGBT HP Drive模块
IGBT是现代电力电子中的主导型器件，被誉为电力电子行业里的CPU，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期，也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS封装在一起，形成混合并联模块的解决方案。未来，功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。
晶能微电子是吉利孵化的功率半导体公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制与创新，发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。
