科技日报报道，美国麻省理工学院某跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维（2D）过渡金属二硫化物（TMD）材料层，以实现更密集的集成。相关论文发表在《自然·纳米技术》杂志上。

这项技术绕过之前与高温和材料传输缺陷相关的问题，缩短生长时间，并允许在较大的8英寸晶圆上形成均匀的层，这使其成为商业应用的理想选择。

据介绍，让2D材料直接在硅片上生长是一个重大挑战，这一过程通常需要大约600℃高温，而硅晶体管和电路在加热到400℃以上时可能会损坏。新开发的低温生长过程则不会损坏芯片。过去，研究人员在其他地方培育2D材料后，再将它们转移到芯片或晶片上，这往往会导致缺陷，影响最终器件和电路的性能。此外，在晶片规模上顺利转移材料也极其困难。相比之下，这种新工艺可在8英寸晶片上生长出一层光滑、高度均匀的层。

科技日报消息指出，新技术能显著减少“种植”这些材料所需时间。以前方法需要一天多的时间才能生长出一层2D材料，而新方法可在一小时内在8英寸晶片上生长出均匀的TMD材料层。（校对/姜羽桐）