韩国总理室下属的高端研究机构对外经济政策研究院（KIEP）日前发布报告预测，中国可能在未来五到十年内成为下一代功率半导体生产的领导者。
这份名为《中国半导体国产化推进状况》的报告认为，中国正在寻求支持并扩大用于电动汽车和储能系统（ESS）的下一代功率半导体（SiC和GaN器件）的竞争力，在技术上占据领先地位。
报告指出：“虽然制造过程中的各种专利壁垒增加了中国克服先进半导体技术障碍的难度，但下一代功率半导体可以被视为中国在未来五到十年内可能领先的领域。”
报告称，中国正将投资重点放在建设先进的半导体芯片设计（无晶圆厂）能力上，而美国对中国在这一环节的制裁程度相对较弱。中国芯片设计企业数量从2014年的681家增加到2021年的2810家，增长了4.1倍，期间无晶圆厂收入增长了4.3倍（2021年达到4519亿元人民币）。
报告还重点介绍了中国半导体企业的特点，指出壁仞科技等初创公司有能力设计高性能图形处理单元（GPU）；华为正在申请封装（晶圆级封装技术）、极紫外光刻（EUV）、电子设计自动化（EDA）等领域的专利；阿里巴巴、字节跳动、腾讯也已经开始设计AI芯片。
中国半导体设备国产化率也在快速上升。截至去年，中国芯片制造设备国产化率为35%，渗透率快速提升，头部企业通过政府投资支持快速获取技术，在刻蚀、薄膜、沉积等工艺领域国产化率显著提高。
与此同时，中国的半导体制造竞争力在NAND闪存方面仍落后全球领先者约两年，在DRAM方面落后五年左右，而在市场格局上，截至2021年，中央处理器（CPU）、DRAM和NAND的国产化率仍处于个位数。
