11月5日晚间，彤程新材公告称，公司全资子公司上海彤程电子材料有限公司（简称“彤程电子”）在上海化学工业区投资建设年产1.1万吨半导体、平板显示用光刻胶及2万吨相关配套试剂项目的工程阶段已竣工，目前已逐步进入试生产阶段。

公告显示，该项目工程阶段已竣工，目前已逐步进入试生产阶段。公司上海化学工业区工厂占地36200平方米，设计能力年产1千吨半导体光刻胶、1万吨显示用光刻胶和2万吨高纯EBR试剂（光刻胶去边剂）。同时在国际国内半导体厂商及光刻胶厂商战略合作推动下，完成了产线优化及品控升级。具体情况如下： 

一、半导体光刻胶产能建设情况

公司上海化学工业区工厂年产1千吨半导体光刻胶量产产线，主要包括年产300/400吨ArF及KrF光刻胶量产产线，通过采用超高纯PFA（涂层）设备、引入高精度物料流量控制系统、配以自研的高精度高效率光刻过滤系统，可以实现ppt级金属杂质及0.1um级别的颗粒管控，具备不同配方先进制程光刻胶的生产能力。 

二、半导体光刻胶产品开发及量产能力情况

（一）ArF光刻胶产品情况

在ArF光刻胶产品方面，公司已经完成ArF光刻胶部分型号的开发，首批ArF光刻胶的各项出货指标能对标国际光刻胶大厂产品，已具备量产能力，目前处于量产前的光刻工艺测试及产品验证阶段，能否验证通过尚存在一定的不确定性。

产能可同时供应国内大部分芯片制造商，能较好地满足国内先进制程光刻胶的部分需求。 

（二）、G线、I线及KrF光刻胶产品情况

目前，公司G线光刻胶已经占据国内较大的市场份额；I线光刻胶已广泛应用于国内6"、8"、12"集成电路产线，支持的工艺制程涵盖14nm及以上工艺。KrF光刻胶量产品种达20种以上，稳定供应国内头部芯片制造商。 

三、其他电子化学品项目建设及开发情况

为了解决ArF光刻胶所需的高纯溶剂及国内先进工艺制程的需求，公司已经搭建完成高纯EBR装置，成为国内首家建有高纯EBR精馏塔设备及掌握高纯精馏技术的本土溶剂供应商。 

公司生产的EBR溶剂已达到G4等级规格，可满足国内40纳米以下工艺制程的芯片制造技术需求，年产2万吨的规模量产能力可有效满足国内先进制程需求。预计第四季度将完成高纯度G5等级EBR的验证，已在国内几家先进芯片制造商中逐步推动产品验证。