【编者按】2024年度IC风云榜再度升级，奖项扩展至35个、榜单增至59项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任，获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓，激发产业创新潜能，树立产业新标杆。
【候选企业】浙江星曜半导体有限公司（以下简称：星曜半导体）
【候选奖项】年度技术突破奖
随着全球5G移动通信网络的不断扩展和升级，以及对于更高频率和更大带宽的5.5G技术推进，无线通信频段部署将更加复杂和密集，其中部署频段主要集中在1GHz~3GHz，包含了大量FDD LTE、TDD LTE及TD-SCDMA 等无线通信频段，同时还包含GPS、Wi-Fi、蓝牙等非蜂窝通信频段，这直接导致移动通信网络对处理密集频段间干扰的滤波器将更为依赖；与此同时，随着通信频段的复杂化，移动通信产品对滤波器的性能要求也逐渐提高，高性能的滤波器在移动通信产品中发挥着重要作用。
作为射频前端芯片设计企业——浙江星曜半导体有限公司成立于2020年，是一家专注于射频滤波器芯片和射频前端模组芯片的研发、生产和销售的高科技企业，总部位于温州，在上海、苏州、深圳、西安、成都均设有研发或销售中心，产品持续专注于SAW、TF-SAW、BAW及FEM的技术创新和产品开发，多款产品性能达到国际一流水平，受到了三星、联想、OPPO、小米、荣耀、中兴、Sony、TCL 等客户的高度认可。
星曜在射频滤波领域已量产十几款TF-SAW射频滤波器产品，持续不断地为客户提供丰富的、可靠的、高性能的射频滤波解决方案，已导入三星手机/平板、OPPO手机、荣耀手机等品牌客户。目前星曜在双工器和发射滤波器产品领域，已累计出货超过上亿颗，客户覆盖国内外众多一线品牌。
值得注意的是，星曜公司作为国内头部的TF-SAW滤波器设计公司，拥有强大且完备的TF-SAW技术储备和创新能力。公司历经三年密集开发，通过其自主仿真设计平台，完成“杀手级”产品TF-SAW全频段系列滤波器。产品运用了公司超高Q值TF-SAW谐振器技术，将normal SAW谐振器Q值从1000提升到3500，并极大抑制了通带及周边的杂波，使得双工器能够满足带外陡降的高要求并且拥有更好的通带性能，带内插损、带外抑制表现优异，综合性能达到国际一线大厂产品水准。
此外，产品在公司自有的TF-SAW的特殊工艺设计下，可以有效地将电极产生的热量散发到基板上，低TCF和高散热的综合效应使得滤波器在高工作温度下响应稳定，有效解决了传统SAW滤波器技术存在频率随温度漂移的问题。从而实现了高难度频段双工器/滤波器的低插损/高抑制度/高隔离特性的设计，并兼具低温漂系数以及高耐受功率的特性，契合当前5G终端产品在载波聚合、完成频段共存等功能上，对滤波器的高性能指标要求。
该系列拳头产品能够全面适应通信频段Band 2、Band 3、Band 7、Band 8、Band 20、Band 25、Band 26、Band 28F、Band 1+Band 3、Wi-Fi（消费级）、Wi-Fi（车规级）的全方位要求，并完成了高质量量产交付，总体出货量达到国内最高。
此外，星曜半导体的TF-SAW产品相关技术拥有完全自主的一类、二类知识产权申请共计28件，其中中国发明专利24件，PCT国际专利2件，中国实用新型专利1件，集成电路布图设计1件；专利目前维持超过9成的授权率，具有较强的保护力度和转化价值，超过7成的专利为高性能TF-SAW必要技术的基础专利，另有多件专利能够通用于声表谐振器产品的设计。星曜公司作为具有长期研发计划和产品规划的企业，在技术积累及知识产权方面，从应用市场、技术形态等多方面切入，坚持储备式专利布局，将形成高价值专利组合，为企业赢得技术竞争优势。
未来，星曜半导体仍将主营射频滤波器和模组产品，坚持自主研发道路，打破国外技术垄断，实现量产交付，为产业链自主可控添枝加叶。与此同时，公司在芯片制造和工艺方面也会完善布局，从而形成完整的研发、设计、制造、封装、测试等垂直整合能力的一体化射频芯片公司。据悉，星曜公司筹建的5G射频滤波器晶圆厂项目，已签约落户温州湾新区并启动主体动工，计划总投资7.5亿元，规划用地面积约100亩。该项目将实现星曜射频滤波器芯片从自主设计到自主生产的重要一环，助力确保稳定产能。相信在芯片设计、制造每个环节上的精益求精，都将持续赋能星曜半导体的稳步发展。
星曜半导体坚持做驰而不息的实干者，凭借技术创新能力奋楫笃行，已逐步发展成国产射频芯片行业的中流砥柱。星曜半导体将一直坚持自主研发的技术创新理念，主动突破行业内的尖端产品，执着于做射频前端的赛道引领者，为射频行业的国产突破厚植根基，带来更多便捷易用、性能卓越的射频前端解决方案。
2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
旨在表彰2023年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2023年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
1、技术的原始创新性（50%)
2、技术或产品的主要性能和指标（30%)
3、产品的市场前景及经济社会效益（20%）
