【编者按】2024年度IC风云榜再度升级，奖项扩展至35个、榜单增至59项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任，获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓，激发产业创新潜能，树立产业新标杆。
【候选企业】派恩杰半导体（杭州）有限公司（以下简称：派恩杰半导体）
【候选奖项】年度车规芯片市场突破奖
成立于2018的派恩杰半导体是中国第三代半导体功率器件的领先企业，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品，且拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，并且均通过AEC-Q101车规级测试认证，可以满足客户的各种应用场景。
派恩杰半导体拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势，创始人黄兴博士于2009年起深耕于碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，师承IGBT发明人B. Jayant Baliga教授和ETO晶闸管发明人Alex Q. Huang教授。目前，派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为各个应用领域头部客户持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。
作为面向电动汽车市场的“拳头产品”，派恩杰半导体推出的P3M06060K4是一款车规级650V 60mOhm TO247-4L碳化硅场效应管，如今已在国产新能源车龙头企业稳定供货两年，并且获得一定的市场地位，该产品在国内同类市场中已占有显著份额，表现出色。在国际市场上，该产品也成功获得了一定份额，树立了良好的市场地位。
深入到产品与技术层面，派恩杰半导体掌握全套碳化硅功率器件生产工艺菜单，P3M06060K4的设计与生产工艺也完全自主掌握。P3M06060K4具有高耐压、高耐温、低开关损耗、开关速度快等优异特性，通过AEC-Q101测试，具有优良的产品性能与可靠性，广泛应用于车载充电器与通信电源等应用中。需要强调的是，P3M06060K4的核心技术优势是采用4.8um元胞尺寸设计，对标世界领先工艺，性能指标HDFM国际领先，在实际应用中可以达到较低的总损耗，使得整机效率显著提升。
2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度车规芯片市场突破奖】
旨在表彰2023年度实现单款车规芯片产品高销售收入或销量收入突出性高增长，在细分领域市场占有率处于领先地位，产品应用市场广泛的企业。
【报名条件】
1、深耕车规芯片某一细分领域，2023年企业总体营收超过1亿元人民币，或实现20%以上的增长；
2、产品通过车规认证并实现量产落地，具备较强市场竞争力，在细分领域占据领先的市场份额，具有完全自主知识产权。
【评选标准】
1、技术或产品的主要性能和指标（30%）
2、产品的销量及市场占有率（40%）
3、企业营收情况（30%）
