近日，华引芯联合华中科技大学研发的一项电子束聚焦技术成果刊发于《自然·通讯》杂志，题为“Boosting the electron beam transmittance of field emission cathode using a self-charging gate”（利用自充电栅极提高场发射阴极的电子束透过率）。这项研究能够实现对电子束的精准控制，在微纳制造领域具有重要应用前景。

根据华引芯介绍，电子束聚焦技术可以通过外加电场或磁场实现，具有高分辨率、精密控制、非接触加工和适用范围广的特点。这一技术被广泛应用于半导体行业的芯片制造、纳米加工领域的纳米结构制备、光刻领域的光罩制作以及光源领域中的显示成像。

研究团队在器件表面沉积了一层驻极体材料氮化硅（SiNx），SiNx驻极体内部的Si3+陷阱中心可以实现对电子的捕获和稳定存储。当电子发射到器件表面后，器件会捕获电子进行充电，充电后的器件表面带负电，从而可以实现对后续电子的稳定聚焦效果。

华引芯表示，这项新技术不同于传统的电子束聚焦方案，无需引入额外的静电场或者磁场，因此能够实现对电子束的精准控制。

据悉，该工作在华中科技大学光电学院与引力中心实验平台共同完成，得到国家自然科学基金等资助。

（校对/孙乐）