三星NAND材料价值链生变 将引入钼元素

三星正在其第9代V-NAND的金属化工艺过程中应用钼（Mo）。

消息人士称，三星已从泛林集团引进5台钼沉积机用于该工艺，并且计划明年再引进20台此类设备。

与六氟化钨（WF6）不同的是，钼前驱体是固体，需要使用这些设备将其加热到600摄氏度，以转化为气体。

在三星的第9代V-NAND生产中，一种应用使用钨（W），另一种应用使用钼。三星在氧化物-氮化物-氧化物（ONO）结构中使用钼代替钨。

钼用于提高晶体管内的电阻率，从而允许在NAND中堆叠更多层。

行业已经达到使用钨降低层高度的极限，使用钼可以将层高进一步降低30%~40%。使用钼还可以降低NAND的延迟。

三星决定使用钼意味着NAND材料价值链将经历一些变化。

三星正在从英特格（Entegris）和Air Liquide采购钼，而默克也已向芯片制造商提交样品。

除了三星，SK海力士、美光和铠侠也计划在其NAND生产中采用钼。

这意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。钼的价格是六氟化钨的十倍。韩国半导体材料公司SK Trichem、Hansol Chemical、Oceanbridge等也因此在开发钼。

同时，除了NAND，钼前驱体也有望用于DRAM内存和逻辑芯片。（校对/刘昕炜）