天眼查显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司“一种GaNHEMT器件及其制作方法”专利公布，授权公告号为CN118016710B，授权公告日为2024年7月2日，申请日为2024年4月10日。
本发明公开了一种GaN HEMT器件及其制作方法。包括：依次层叠设置的衬底、成核层、凹陷调整层、缓冲层、沟道层和势垒层；其中，凹陷调整层和成核层采用的材料相同，成核层的厚度小于或等于第一设定值，第一设定值小于10nm；凹陷调整层的厚度大于或等于100nm，且小于200nm。本发明能够可以改善GaN HEMT器件的凹陷，减少后续加工工艺的复杂度，防止由于凹形翘曲导致的GaN HEMT器件边缘生成裂纹，同时避免了裂纹过长导致破片的风险。
