近年来，新能源汽车高速发展，电动化和智能化成为两大趋势，各大车企已逐步尝试将第三代半导体用于汽车系统，氮化镓高开关频率和高能效优势能够很好地帮助实现新能源汽车电动化与智能化的需求。
车载激光雷达作为自动驾驶的关键组成部分，需要更高精度的感知技术。在自动驾驶中，L2辅助驾驶的识别距离受限于MOS方案，相对较短，功耗较大，而L2+/L3辅助驾驶则需要达到更远距离识别。氮化镓芯片所具备的窄脉冲、大峰值电流、高效的性能，能够达到更长的探测距离，并降低功率损耗和温升，更好地满足车载激光雷达系统所需。
2023年底，英诺赛科已推出适用于自动驾驶激光雷达系统的100V车规级氮化镓芯片 INN100W135A-Q（AEC-Q101认证），目前已在多个终端客户中导入设计。为了满足应用多样化的需求，英诺赛科基于100V技术平台研发了一款更小封装体积的（WLCSP 0.9mm x 0.9mm ）100V车规级氮化镓芯片INN100W800A-Q，延续低导阻、低栅极电荷、低开关损耗以及降低的反向恢复电荷等特性，并通过AEC-Q101 认证。
01产品特性
通过AEC-Q101车规级认证
极低的栅极电荷
超小封装 WLCSP 0.9mm x 0.9mm
零反向恢复充电电量
02应用领域
车载激光雷达
高功率密度DC-DC变换器
高强度前照灯
D类音频
03产品优势
INN100W800A-Q与传统Si器件相比，具备以下优势：
开关速度提升13倍，脉冲宽度仅为Si的1/5
功率损耗更低，温升更低
可满足L2+/L3辅助驾驶
INN100W800A-Q 规格书首页
当前，INN100W0135A-Q和INN100W800A-Q均已成功量产，批量订单交付中。客户可基于不同应用需求进行规格选型。
Key performance parameters at TJ = 25 °C
两款100V车规级氮化镓器件的关键参数如上图所示，详细的产品规格书、仿真模型均可在英诺赛科官网获取，如需申请样品，欢迎通过邮件与我们联系：jiaxinhuang@innoscience.com。
