1、芯海科技“嵌入式闪存控制电路、芯片及电子设备”专利公布
2、莱特光电“有机化合物及使用其的电子元件和电子装置”专利公布
3、三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布
4、拉普拉斯“反应炉和镀膜系统”专利公布
5、信宇人：已拥有3项与干法涂布相关发明专利
1、芯海科技“嵌入式闪存控制电路、芯片及电子设备”专利公布
天眼查显示，芯海科技(深圳)股份有限公司“嵌入式闪存控制电路、芯片及电子设备”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118796734A。
本申请实施例提供了一种嵌入式闪存控制电路、芯片及电子设备，该嵌入式闪存控制电路，包括：译码模块、仲裁模块和时序产生模块，其中，译码模块，用于将闪存访问命令中主机分配的第一地址转换为嵌入式闪存的第二地址，并判断闪存访问命令的权限；仲裁模块，用于仲裁多个闪存访问命令的优先级；时序产生模块，用于产生闪存访问命令对应的闪存时序。本申请实施例的控制电路，将命令译码及权限控制、命令仲裁、产生命令时序等分离，设计成结构化组件，能够降低嵌入式闪存控制电路的高耦合性，在不同产品复用时可最低程度修改或者模块化替换，能很大程度上节省芯片设计与验证的人力投入。
2、莱特光电“有机化合物及使用其的电子元件和电子装置”专利公布
天眼查显示，陕西莱特光电材料股份有限公司“有机化合物及使用其的电子元件和电子装置”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118791453A。
本发明涉及一种有机化合物及使用其的电子元件和电子装置。所述有机化合物具有式I所示的结构，将所述有机化合物应用于有机电致发光器件中，可显著改善器件的性能。
3、三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布
天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118800798A。
本申请提供的碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件中，包括，在半导体元胞的沟道区上形成层叠设置的张应力材料层和压应力材料层，其中，张应力材料层位于压应力材料层与半导体外延片之间；且张应力材料层的应力值大于压应力材料层的应力值；对形成有张应力材料层和压应力材料层的半导体外延片进行高温快速退火处理。具体的，通过在半导体元胞的沟道区上形成层叠设置的张应力材料层和压应力材料层，且张应力材料层的应力值大于压应力材料层的应力值，从而在高温快速退火处理后，张应力材料层与压应力材料层之间产生的净剩张应力会传递至沟道内，从而改善沟道迁移率，降低比导通电阻。
4、拉普拉斯“反应炉和镀膜系统”专利公布
天眼查显示，拉普拉斯新能源科技股份有限公司“反应炉和镀膜系统”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118792638A。
本公开涉及半导体或光伏材料加工技术领域，具体涉及一种反应炉和镀膜系统，解决了相关技术的反应炉的产能低的问题。本公开实施例提供的一种反应炉，被配置为对待加工产品进行镀膜，待加工产品的形状包括立方体。反应炉包括：腔体和炉门。腔体具有腔室，腔室包括立方体，腔室具有朝向下方的炉口，腔室被配置为容纳待加工产品，炉门位于腔体的下方，被配置为承载待加工产品，并能够在外力的驱动下打开或关闭炉口。立方体的腔室相对于圆柱体的腔室可容纳待加工产品的数量更多，另外，朝向下方的炉口可以避免通过悬臂驱动炉门来打开或关闭炉口，进而避免受悬臂的承载重量限制，以使炉门承载的待加工产品的数量更多，从而提高反应炉的产能。
5、信宇人：已拥有3项与干法涂布相关发明专利
近日，信宇人在投资者互动平台表示，公司的干法涂布专利不专门针对固态电池，但与固态电池制备工艺具有相关性，目前公司已拥有3项与干法涂布相关的发明专利。
信宇人是专注于高端装备的国家级高新技术企业，主要从事以锂离子电池涂布设备和干燥设备为核心的智能制造高端装备的研发、生产及销售。
在锂离子电池生产设备领域，信宇人的产品涵盖锂电池干燥设备、涂布设备、辊压分切设备等，可提供多元化的智能制造及自动化解决方案。近年来，信宇人在持续夯实锂电客户合作共赢的基础上，亦实现了向光伏和氢燃料电池等领域的拓展，已成功提供多套高端装备和自动化解决方案。此外，信宇人还积极向设备的核心零部件进行配套研发，目前已具备部分核心零部件的自主研发与制造能力。
