SemiQon是一家从芬兰研究机构VTT剥离出来的公司，宣布已开发出能够在低温环境下高效运行的p型和n型晶体管。这些晶体管使得创建CMOS逻辑电路成为可能，并且可以在现有的CMOS晶圆厂中制造，而无需额外的基础设施。

SemiQon研究人员发表了《用于量子电子的毫开尔文Si-MOSFETs》论文，详细介绍了在420mK下具有0.3 mV/dec亚阈值摆幅的晶体管的特性。这些晶体管是在全耗尽型绝缘体上硅（FDSOI）晶圆上制造的MOSFET。

VTT最近还讨论了使用混合量子CMOS技术构建基于自旋的量子比特多路复用器。该芯片基于定制绝缘体上硅 (SOI) 工艺，采用全硅栅极堆栈和50nm栅极宽度。该电路在5.6K至300mK范围内表现出低噪声。

传统的控制电子设备是使用传统方法制造的，但由此产生的散热会影响低温，并且需要距离和绝缘，从而对量子计算机设计造成限制。

SemiQon表示，其晶体管设计在1K及以下的温度下表现最佳，这是大多数量子计算机运行的温度范围。在低温环境下，这些晶体管的功耗仅为传统室温晶体管的0.1%。

这使得控制和读出电子设备可以与量子位处理器一起放置在低温恒温器内部。

“这有可能加速量子技术的发展，甚至开启低温电子学的新时代，”SemiQon首席执行官兼联合创始人Himadri Majumdar表示。

SemiQon表示，除了量子计算之外，这些晶体管还有提高航天应用和高性能计算（HPC）中的能源效率的潜力。

SemiQon预计将在2025年向客户交付其首批低温优化的CMOS晶体管。（校对/李梅）