据武汉未来科技城消息，12月18日，长飞先进武汉基地建设迎来新进展——项目首批设备搬入仪式举办。本次设备搬入作为厂房建设发展历程中的重要一环，标志着长飞先进武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。

据悉，本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。

（来源：中国光谷）

长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

2023年8月25日，长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户武汉新城；7天后，该项目正式启动建设。今年6月，该项目主体结构全面封顶。从打下第一根桩到实现结构封顶，厂房建设耗时不到10个月。

目前，长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。武汉未来科技城指出，该项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，还将吸引并带动更多化合物半导体产业链上下游企业聚集、交流与协作，加快构建更加完善的碳化硅产业生态。