2025年2月17日下午，中国科学院半导体研究所和南京大学在仙林校区电子楼会议室举行了联合共建“黄昆英才班”合作协议签约仪式。

据介绍，此次携手签约，双方将进一步聚焦半导体与集成电路前沿领域，强化学术交流与学科、专业之间的交叉融合，共同培养国家战略人才和急需紧缺人才，致力于突破“卡脖子”技术，推动我国半导体行业蓬勃发展，为实现科技强国目标注入强大动力。

中国科学院半导体研究所所长谭平恒表示，与南大合设“黄昆英才班”，意在整合双方优势，探索人才培养创新机制，为国家半导体领域培养和输送顶尖人才，为半导体科技自立自强注入强劲发展动力。在人才培养上，以“黄昆英才班”为依托，探索新模式，共同实施“双导师联合指导计划”，进行多路径个性化培养，共育半导体领域精英，践行教育强国、科技强国、人才强国战略使命。希望双方以本次合作协议签署为新的契机，强强联合、精准对接，在科技研发、平台建设、成果转化和人才培养等各方面形成“校所合力”，实现资源共享和科教融合发展，共同为建设科技强国和抢占半导体科技制高点做出更大贡献。

“黄昆英才班”是以我国著名物理学家、教育家、半导体事业先驱——黄昆先生命名的拔尖人才培养办学项目，旨在实现中国科学院与高等院校在科教融合方面的优势互补，为国家培养半导体领域具有国际视野的高素质创新型科技人才。项目由中国科学院半导体研究所组织，目前已与国内20余所重点大学开展了联合开班办学。通过所校深度合作与联合培养的方式，双方共同培育对半导体物理、材料、器件及其集成应用技术怀有浓厚兴趣且有志于在相应领域研究的本科生，为相关领域源源不断地输送品学兼优的后备科研力量。