2月28日，士兰微电子（600460）旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目全面封顶。

“今日海沧”消息称，士兰集宏项目总投资120亿元，分两期建设，总建筑面积达23.45万㎡，一期投资70亿元，预计2025年四季度初步通线，2026年一季度试生产，达产后年产能42万片8英寸SiC芯片。二期投产后总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸SiC功率器件产线，项目以SiC MOSFET为核心产品，主要服务于新能源汽车、主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等高需求领域。

士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，希望在“十五五”期间，在各方的大力支持下，士兰集宏建成72万片8英寸SiC功率芯片的年产能，其中总投资70亿元的一期项目，尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。