2025年3月5日，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)官宣发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。这一成果，标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，也创造了从2英寸到8英寸，每年升级一个尺寸的行业记录。
镓仁半导体指出，中国氧化镓率先进入8英寸时代，具有深远的产业意义。首先，8英寸氧化镓能够与现有硅基芯片厂的8英寸产线兼容，这将会显著加快其产业化应用的步伐；其次，氧化镓衬底尺寸增大可提升其利用率，降低生产成本，提升生产效率；最后，中国率先突破8英寸技术壁垒，不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域的技术进步，更为我国氧化镓产业在全球半导体竞争中抢占了先机，有力推动我国在全球半导体竞争格局中占据优势地位。
图1 镓仁半导体8英寸氧化镓单晶
杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，目前坐落于杭州市萧山区，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料及设备研发、生产和销售的企业。该公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心，已形成一支以中科院院士杨德仁为首席顾问的研发和生产团队。其研发团队开创了铸造法氧化镓单晶生长新技术，实现了8英寸单晶生长技术突破，成为国际首家掌握该技术的产业化公司，尺寸指标国际领先；实现了3英寸晶圆级单晶衬底的生产技术突破，为目前国际上已报导的最大尺寸；自主研发了VB法氧化镓专用单晶生长设备，不仅能够满足氧化镓生长对高温和高氧环境的需求，而且能够进行全自动化晶体生长，减少了人工干预显著提高了生产效率和晶体质量。
据悉，铸造法是由浙江大学杨德仁院士团队自主研发，用于生长氧化镓单晶的新型熔体法技术。铸造法具有以下显著优势，包括成本低、效率高、简单可控、拥有完全自主知识产权等。镓仁半导体氧化镓铸造法已逐步实现产业化，为下游客户提供大尺寸高质量的氧化镓单晶衬底产品。目前，镓仁半导体6英寸衬底已实现产品销售出货。
从2022年镓仁半导体公司成立至今，铸造法氧化镓单晶尺寸实现了每年提升一代尺寸的高速发展，展现了自主创新的技术实力。2022年5月，成功生长2英寸氧化镓单晶；2023年5月，成功生长4英寸氧化镓单晶；2024年2月，成功生长6英寸氧化镓单晶；2025年2月，镓仁成功生长8英寸氧化镓单晶。
