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另辟蹊径的佳能,会“击败”ASML吗?

作者: 集小微 03-17 10:16
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来源:凤凰网 #ASML# #佳能# #EUV#
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3月16日,经济学人发文,ASML的光刻技术正使其成为全球科技博弈的核心。日本竞争对手佳能押注于更简单廉价的技术,试图打破ASML的垄断。但与软件行业领导地位可能数月易主不同,光刻技术的竞赛是场以十年计的马拉松。要超越ASML绝非易事。这场博弈的焦点,是对将塑造未来计算、AI乃至整个科技走向的核心设备的掌控权。

ASML的尖端设备堪称工程奇迹。其工作原理是向真空室喷射5万滴熔融锡珠。每滴锡珠需经历两次激光冲击:第一次弱激光脉冲将其压扁为微型薄饼,第二次强激光将其汽化。这一过程使锡滴转化为高温等离子体,温度高达22万摄氏度(约为太阳表面温度的40倍),并发射极短波长的极紫外光(EUV)。随后,这种光线经多层超平滑镜面反射,聚焦于载有芯片电路蓝图的掩膜版,最终将设计图案蚀刻到涂有感光化学物质的硅晶圆上。

ASML的设备对现代芯片制造不可或缺。台积电、三星和英特尔等巨头依赖其生产从AI加速器到智能手机芯片的尖端处理器。目前没有其他公司能可靠制造用于7纳米及更先进制程的光刻机。即便在成熟工艺(14纳米及以上)领域,该公司设备市占率也超过90%。

虽然ASML未披露具体数字,但其最新EUV机型价格几乎是前代两倍。Hyper-NA系统将更昂贵。尽管公司强调尚无量产保证,技术总监Jos Benschop认为若需求存在,Hyper-NA设备可能在5-10年内面世。

曾经的行业霸主佳能另辟蹊径,押注纳米压印(NIL)技术。该工艺如同印刷机将电路模板直接压印至晶圆,理论上能以纳米级精度、低成本和小体积挑战EUV。其流程包括电子束刻制母版、液态树脂滴注、紫外光固化等步骤。佳能称其设备成本比EUV低40%,但面临缺陷控制(模板微粒会导致整片晶圆缺陷)、层间对准精度(需纳米级对齐)、生产效率(目前每小时110片,仅为EUV的60%)等挑战。

目前NIL在存储芯片和手机屏幕等领域取得了突破。佳能光学部门负责人岩本和纪认为,NIL可与EUV互补,在非精密环节降低成本。随着技术进步,这种颠覆性工艺或催生更快、更节能的AI芯片。

责编: 集小微
来源:凤凰网 #ASML# #佳能# #EUV#
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