3月19日，国星光电在投资者互动平台表示，其全资子公司风华芯电自主研发的氮化镓（GaN）器件产品已正式进入量产阶段，并开始接受客户订单。该产品的量产标志着国星光电在第三代半导体领域迈出重要一步。
据公开信息，风华芯电采用的氮化镓技术基于国际先进生产工艺，结合自主创新优化，确保了产品在高温、高电压及高频率环境下的稳定性能。该器件主要应用于电源转换、射频通信等领域，可满足电动汽车、数据中心等高增长市场的需求。
风华芯电氮化镓器件的量产是国星光电深化半导体产业布局的关键举措之一，有利于进一步拓展该产品在新能源、5G基站等场景的应用，同时持续优化产能以应对市场需求。
目前，国星光电正通过子公司风华芯电加速推进氮化镓器件的规模化生产，并计划结合下游客户需求动态调整供应策略。此次量产接单将为公司在第三代半导体领域的竞争力提供实质性支撑。
（校对/黄仁贵）
