5月28日，长飞先进武汉基地一期实现量产通线，首片6寸碳化硅晶圆于今日成功下线。

据悉，长飞先进武汉基地一期占地面积344亩，将聚集上千位全球碳化硅半导体人才，打造国内碳化硅产能最大的一体化新高地。公开消息显示，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

长飞先进武汉基地项目自2023年9月1日破土动工，2024年6月完成主体建筑结构封顶。2024年12月，长飞先进武汉基地建设迎来项目首批设备搬入仪式举办，标志着长飞先进武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。

碳化硅是第三代半导体材料的典型代表，凭借耐高温、耐高压、高频化、低损耗等材料优势，碳化硅功率器件在新能源汽车、风光储、智能电网、数据中心、轨道交通等多个领域应用广泛，是引领新能源领域的“下一代功率半导体”。

据中国光谷消息，长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚指出，一片直径6英寸的晶圆可分割出数百颗碳化硅芯片，用于5台新能源车。基地选用了更先进的设备打造产线，产品性能将大幅提升，达产后将具备年产36万片碳化硅芯片的制造能力，极大缓解国内新能源汽车高端芯片需求。