据韩媒报道，SK海力士第一季度超越三星电子，荣登全球DRAM市场榜首。SK海力士凭借其高带宽存储器（HBM）的优势，成功登顶存储器半导体行业宝座，标志着其市场领导地位的重大转变。

根据多家市场研究公司发布的2025年第一季度DRAM市场报告，SK海力士已超越三星电子，稳居榜首。

6月3日，TrendForce发布的分析报告显示，SK海力士第一季度DRAM市场销售额达97.2亿美元（市场份额为36%），首次在季度中位居榜首。三星电子以33.7%的市场份额位居第二，美光以24.3%的市场份额位居第三。SK海力士的市场份额从2022年第四季度的36.6%略微下降至36%，但三星电子的份额则大幅下降，从39.3%降至33.7%，这使得SK海力士得以超越。

4月初，市场研究公司Counterpoint Research报告称，SK海力士在2025年第一季度以36%的份额领跑全球DRAM市场，而三星电子的份额为34%。

就在2024年第一季度，两家公司的市场份额差距还超过10个百分点，三星电子为43.9%，SK海力士为31.1%。然而，到2024年第四季度，差距迅速缩小，三星电子为39.3%，SK海力士为36.6%，导致2025年的局面出现逆转。

TrendForce将此归因于SK海力士HBM3E等高价值产品出货量的提升，而三星电子则因无法将HBM直接销往中国而导致HBM3E出货量下降。目前，SK海力士实际上是英伟达第五代HBM3E的独家供应商。今年3月，SK海力士提前提供了下一代HBM4（第六代）12层产品的样品。相比之下，三星电子由于其HBM3E产品获得英伟达认证的时间被推迟一年多，难以保持领先地位。

三星电子已采取非常措施，以重获HBM领域的竞争力。他们正在实施选择和集中战略，减少HBM2E等老款HBM型号的产量，并增加最新产品的产量。他们计划重点关注第六代HBM（HBM4）。据报道，三星电子正在重新设计其10纳米级第六代（1c）DRAM，以适应HBM4应用，与现有设计相比，芯片尺寸有所增大，良率和稳定性也有所提升。

三星此前在4月表示，已完成向主要客户供应改进型HBM3E产品的样品，预计销售额贡献将从第二季度开始逐步提升。随着改进版HBM3E产品销量的扩大，HBM销量预计将在第一季度触底，并在每个季度逐步回升。该公司称，HBM4的开发工作正按计划进行，目标是在下半年实现量产，并配合客户的项目进度。

与此同时，全球DRAM市场第一季度总销售额环比下降5.5%，至270.1亿美元。这归因于DRAM合约价格下跌和HBM出货量减少。不过，TrendForce预测，DRAM市场将在第二季度恢复增长势头。

TrendForce预估，第二季PC与智能手机厂商将配合美国90天互惠关税宽限期，完成库存调整并增加产量，带动DRAM供应商出货量将明显增加。（校对/赵月）