日本芯片制造商铠侠（Kioxia）计划2026年在岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。
这些改进型芯片旨在通过大幅提升长期数据存储容量，满足人工智能（AI）数据中心对海量计算的需求。该计划旨在创建高效的研发和生产系统，与铠侠三重县四日市工厂截然不同。
铠侠位于岩手县北上工厂的生产将采用公司“第十代”技术。通过将垂直堆叠的存储单元层数从第八代的218层增加到332层，铠侠将使单位面积的存储容量提高59%，数据传输速度提高33%。新一代芯片还降低了功耗。
此前有传言称，铠侠将在四日市工厂生产新型芯片，该公司一直在该工厂进行研发工作。但多位知情人士透露，生产工作实际上将在岩手县北上工厂进行。该公司没有扩建计划，将使用岩手县晶圆厂第二座厂房Fab2，该厂房已于9月投入运营。
铠侠采取双管齐下的战略，一方面开发和生产高性能、低成本的芯片，另一方面开发和生产层数更多的大容量芯片。
第十代存储芯片正是该公司计划生产的大容量产品。其双管齐下的战略将确保生产效率，四日市工厂将继续专注于高性能产品的生产，而需要大量资本投入以增加层数的大容量产品将在北上工厂生产。
四日市工厂的第九代高性能产品将于本财年末开始生产。铠侠预计其第九代芯片将主要用于智能手机。第九代芯片将保持与前代芯片相同的层数以降低成本，但采用更新的架构来提高数据处理速度和降低功耗。
这种新架构采用了一种技术，即生产两个独立的晶圆，一个包含存储单元，另一个包含用于读写数据的电路。然后将这两个基板直接键合在一起。这项技术自第八代芯片以来就已开始使用。传统的存储芯片是将存储单元和读写电路印刷在同一基板上。
北上工厂所在的岩手县南部正逐渐成为半导体制造中心。Tokyo Electron（TEL）11月在当地建成一座集生产和物流于一体的综合设施。包括富士金（Fujikin）和米兰普洛（Mirapro）在内的半导体设备零部件供应商也加大了在该地区的投入。（校对/赵月）
