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当前WiFi FEM主要包括PA，LNA，SW和逻辑控制。那么芯片内部设计架构一般有哪些呢？
1.单颗芯片
早期的时候WiFi发射功率的要求不高，采用SiGe工艺进行设计可以实现单颗芯片集成FEM的所有功能。好处是成本较低，封装简单，缺点也很明显，颇有点比上不足比下有余，论PA性能比不过HBT，要是单纯论逻辑控制的设计，又比不过SOI。尴尬而又鸡肋。
2.HBT+pHEMT+(CMOS)的两/三颗芯片设计
WiFi5的时候，对使能端的要求没那么高，并非一定要纯逻辑控制，那会PA使能端有一定的漏流。这玩意对应用不太友好，但是对设计师却无比友好，因为可以外部调节使能端去改变偏置，对常温性能亦或者高低温性能都能起到一定的调节作用。所以那时候有两颗芯片设计架构：HBT设计PA，pHEMT设计LNA+SW。
后来要求使能端不允许有漏流，部分芯片厂家也有过采用pHEMT进行逻辑电路设计的过渡方案。“那时候车马慢，一生只够爱一人。”为了追求NF，在pHMET面前，那时候的SOI真是不够打的。然而，pHEMT做逻辑电路有天然硬伤，这种方案很快就被抛弃了。
接着便有了用HBT设计PA，pHEMT设计LNA+SW，CMOS设计逻辑控制的三颗芯片方案。首先可以借助之前已经设计的pHEMT芯片，其次这种方案性能上是最能打的。当然，能打的副作用就是贵。鱼和熊掌，往往不可兼得，古人诚不欺我。
3.HBT+SOI的两颗芯片设计
当进入WiFi FEM的厂家越来越多，大战一触即发。有人的地方就有江湖，江湖上的打打杀杀在所难免。杀到后面，大家都练成了虽非最强但却是最实用的杀招：卷价格。此时，第二种方案便逐渐变得捉襟见肘。
SOI天然具有高集成的优势，工艺的不断进步也是让受宠的它逐步冠绝后宫。pHMET：以前仗着自己独有的NF美貌，被广大芯片厂家奉为小甜甜，如今新人胜旧人，也只能沦为牛夫人。
HBT+SOI的方案，兼顾了性能和价格。小孩子才做选择题，大人是都要啊。古人的智慧到底比不过现代人的贪心，鱼和熊掌可以兼得？
如果继续保持FEM的内部集成元素，之后还能有什么路可走？要么继续卷价格，要么卷性能。
4.HBT+RFCMOS的两颗芯片设计
如果是继续卷价格，SOI的容颜终究会老去，年轻貌美才是亘古不变的真理，而RFCMOS将可能是下一个受宠的年轻妃子。但能不能抓住机会，上位成功，需要自身的硬实力(目前NF偏差)，也需要市场的审美来做出最终的结论。
5.GaN+SOI的两颗芯片设计
如果说pHEMT, SOI和RFCMOS是后宫嫔妃，那么HBT就像是皇帝。而HBT这个皇位坐太久了，也是到了该动一动的时候了。
Si基GaN，相比HBT，有更高的功率密度，且有更好的可靠性。但是GaN一方面是贵，另一方面GaN的线性相比HBT会差。而Si基GaN的价格相对友好，至于线性方面，WiFi7 DPD的使用，让GaN的这个劣势成为了一个不是问题的问题。而Si基GaN本来功率密度就更高，且可以应用在5-8V，这个功率的提升是当前HBT无法比拟的。对于高功率需求的室外路由器，这便是最好的突破口。
WiFi FEM的设计架构的发展，演绎着这么一幅画面：滚滚长江东逝水，浪花淘尽英雄。时代的浪花，淘尽的不仅是不同的工艺制程，也淘尽了不同时代的设计师。
基于此，我不禁思考，做芯片设计师好还是做芯片销售好呢？之后我将另起一篇文章对此进行讨论。
