艾为重磅推出新一代集成8KV ESD能力高带宽USB2保护开关!

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Type-C接口作为近年来普及的新型数据传输与充电接口,凭借可逆插拔、高速传输、快速充电、小巧易集成等优势,已成为智能手机、智能支付设备、可穿戴设备等领域的标配。然而,其物理尺寸限制和电气特性导致连接可靠性面临挑战:

管脚间距小易引发ESD(静电放电)和浪涌冲击,造成电流失效;灰尘积累、温湿度变化或机械振动可能引发USB2.0 DPDM信号与Vbus/GND短路,威胁后级电路安全。针对这些痛点,数模集成电路龙头艾为电子推出AWP35631和AW35752D系列芯片,通过集成高鲁棒性防护、高带宽信号保持及小型化封装技术,为Type-C接口提供系统性解决方案。

在半导体防护层面,AWP35631和AW35752D系列芯片集成8kV接触ESD防护、40V以上浪涌保护及快速过压保护能力。当发生+50V浪涌时,芯片可在500ns内将信号输出电压钳位至6.6V以下,有效避免后级电路损坏。其防护性能通过优化半导体材料与电路设计实现,例如采用低电容ESD保护结构,在保证防护等级的同时减少信号衰减。

芯片设计突破了传统高防护与高带宽的矛盾。市面上多数产品通过增大芯片面积提升ESD和浪涌能力,但会导致输入端口Con(等效电容)和Ron(导通电阻)偏大,引发USB2高速模式下的插损增加和通信丢包。艾为电子凭借多年USB2保护开关技术积累,在AWP35631中实现1.4GHz差分带宽(-3dB)和3Ω典型导通电阻,确保信号完整性的同时满足防护需求。其核心在于采用低插损半导体工艺和优化版图布局,平衡了防护性能与信号传输效率。

针对智能设备对芯片尺寸的严苛要求,艾为电子推出DFN1.5×1.0×0.55mm超小型封装AWP35631FDR,厚度较行业平均水平降低30%,特别适用于折叠屏手机和智能穿戴设备。该封装通过垂直堆叠技术和微米级引脚间距设计,在有限空间内集成多路保护电路,同时保持散热性能和机械可靠性。

在典型应用中,AWP35631FDR与AW35752AQNR组合可实现智能手机Type-C接口的DPDM保护、DP投屏SBU保护及极性切换;AW35752D通过OEB引脚控制实现双USB2端口切换,满足智能支付设备单主控多接口需求;在行业PC领域,该芯片可通过物理断开USB2通道实现硬件级数据隔离,满足党政、金融等场景的安全要求。

技术参数方面,AWP35631支持1.2GHz单端/1.4GHz差分带宽,提供5.1V典型过压保护和36V DC端口保护,导通电阻3Ω,输入电容4pF,静态电流32μA,工作电压范围1.65V至5.5V。其封装兼容自动化贴装工艺,支持高速信号传输场景下的长期可靠性。

艾为电子通过半导体工艺创新与系统级设计,解决了Type-C接口在防护性能、信号完整性和空间限制之间的矛盾。其芯片方案已通过多领域验证,为智能设备接口保护提供了高集成度、高可靠性的半导体解决方案。

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