韩国正加大对下一代功率半导体的政策支持力度，这是其加强国内芯片制造、减少对海外供应商依赖的更广泛举措的一部分。韩国本土晶圆代工厂正加速碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件的商业化进程。
韩国政府计划于1月正式成立功率半导体专项工作组，这标志着韩国将更加重视用于电动汽车、可再生能源系统和工业设备的高效芯片。作为这项举措的一部分，SiC碳化硅功率半导体技术极有可能被指定为国家战略技术，此举将带来税收优惠、补贴和监管支持。这一前景促使该计划的核心企业之一SK Keyfoundry加快其生产进度，并正在积极准备，争取最早于2026年第一季度开始量产SiC功率器件。该公司即将完成1200V SiC MOSFET的研发，该产品是高压应用的关键产品。
基于GaN的功率半导体也在朝着商业化方向发展。DB HiTek已完成650V GaN工艺的研发，目前正向无晶圆厂芯片设计商提供GaN多项目晶圆，并计划在年内实现实质性的量产。为了满足预期的需求增长，DB HiTek正在扩建忠清北道园区洁净室，增加GaN和SiC器件的产能。扩建完成后，该公司8英寸晶圆的月产能将提升约23%。
这项最新的政策举措建立在政府此前为提升韩国非存储半导体能力所做的努力之上。2025年12月，韩国考虑以4.5万亿韩元的公私合营投资建设一家专注于关键芯片和传统芯片（包括汽车和国防相关半导体）的本土晶圆代工厂。该计划反映出韩国政府担忧，尽管凭借三星电子和SK海力士在存储芯片领域占据主导地位，但在逻辑芯片和特种芯片制造方面却落后于中国台湾和美国。韩国政府还讨论了优先采购国产芯片用于国家安全基础设施建设，并成立总统级半导体委员会来协调相关政策。
产业投资也与这些政策信号同步推进。SK Keyfoundry通过2025年收购SK Powertech，增强了其SiC制造能力，获得了工艺和器件设计方面的专业知识，从而增强了技术自主性。与此同时，DB HiTek早在2022年就开始投资GaN和SiC技术，将化合物半导体定位为长期增长引擎。（校对/赵月）
