存储厂与大客户签订的长期供货合约（LTA），已由过去“锁价又锁量”，转为以“锁量、不锁价”为主流架构。新类型长期供货合约的核心，在于确保产能优先顺序与出货稳定性，但价格仍随市况浮动，保留报价弹性空间。
供应链指出，华邦电、南亚科目前对外签订的LTA，多为锁量不锁价，年期由一年期拉长至至少两年起跳，部分大客户甚至谈到接近2030年的长期合作框架。产业人士直言，LTA能替供应商带来最低获利保障与产能利用率稳定度，但在不锁价前提下，毛利率天花板同样被锁死，属于“不会亏，但也赚不大”。
法人指出，2026年DRAM供需紧俏格局可望延续至年底，DDR4价格高档时间明显拉长。随著一线存储厂持续将产能转向高频宽存储（HBM）与先进制程，一般型DRAM新增供给受限，成熟制程DRAM的结构性吃紧态势短期难解。
市场预期，2026年HBM整体市场产值将年增57％，位元出货年增68％，HBM投片量占整体DRAM供给比重达23％，对一般型DRAM形成明显排挤效应，进一步压缩可用产能。
需求端方面，AI与服务器仍为主要增长动能。2026年Server相关DRAM位元需求占比将达47％，其中，AI Server DRAM需求已接近整体Server DRAM的34％，显示AI持续重塑存储需求结构，并推升高端产品比重。
价格走势方面，产业界人士认为，DRAM供需紧俏将维持至2026年底，Server DRAM供需差预估达15％，有助支撑报价高档运行。2027年随新增供给逐步浮现，产业将从“极度紧俏”走向“结构性再平衡”。
在终端产品影响上，存储涨价对AI Server成本影响相对轻微，但对General Server、PC与Smartphone衝击较大。市场估算，若DRAM／NAND涨价10％，对整机价格影响约为：AI Server0.4％、Server2.7％～5.5％、PC2％～2.3％、Smartphone0.7％～1.3％。
展望后市，随2026年价格循环仍处高档、HBM排挤效应延续，以及2027年潜在新增供给逐步浮现，DRAM产业将迎来结构性转折，供需再平衡拐点极可能落在2027年。
