近日，北京理工大学集成电路与电子学院微电子技术研究所研究团队提出的电热同传TSV技术，被第71届IEEE国际电子器件会议（71st Annual IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM）接收并作口头报告，这是该会议创办70多年来，北理工发表的第一篇IEDM论文，在国际电子器件顶级舞台上发出北理工声音。
该项研究提出了一种环形铜导体和碳纳米管内核的电热同传硅通孔（TSV）结构和双面制备工艺方法，具有工艺简单、成本低、电学性能优异、散热效果显著等优势，在实现垂直电学互连的同时大幅提升了多层芯片间的散热能力，为解决高密度异质芯粒集成的热管理难题提供了全新解决方案。
北京理工大学是论文唯一完成单位，论文第一作者为集成电路与电子学院预聘助理教授（特别副研究员）张子岳，通讯作者为集成电路与电子学院副院长、国家高层次领军人才陈志铭教授。共同作者还有博士生王晗、郝毅刚、苏育文、陈绪炎、张嘉轩，以及丁英涛教授。
此次IEDM论文的突破，也是三维集成方向在IEDM少有的由中国大陆高校报道的研究成果。团队近年来在IEEE ECTC、IEEE EDL、IEEE TED等本领域顶级会议和期刊报道了系列研究成果，体现了北理工在三维集成技术领域的研究积累和创新能力。
国际电子器件会议简介
国际电子器件会议（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM）是国际公认的半导体与电子器件领域的全球顶级学术会议，享有本领域“奥林匹克盛会”的美誉，是国际半导体行业领军企业、研究机构和高校发布最新研究进展和突破性技术的重要平台，迄今已举办了71届。
