市场研究机构Counterpoint Research发布最新报告显示，受供需持续失衡影响，全球DRAM及NAND闪存价格在农历新年前后大幅上涨，多款产品价格环比涨幅超130%。机构预测，供应短缺局面将至少持续至2027年下半年。
3月12日，Counterpoint Research在线上研讨会中公布数据：2月中旬至3月上旬，64GB服务器用DDR5规格RDIMM内存条价格环比上涨150%；12GB移动端LPDDR5X内存价格上涨130%；笔记本电脑所用8GB DDR4规格SO-DIMM内存价格上涨180%。NAND闪存产品价格同步上涨130%至150%，涨幅创下历史新高。
报告称，尽管三星、SK海力士等头部厂商计划投入80万亿至90万亿韩元用于扩产，但仍难以满足当前市场需求。2025年全球DRAM厂商产量预计增长26%，NAND闪存产量增长24%，但明显的产能提升要到2027年下半年才会出现，供应紧张问题届时才有望缓解。
Counterpoint Research研究员Hwang Min-sung表示，受供应紧张影响，今年HBM高带宽内存厂商将转向利润率竞争，而非单纯争夺市场份额。内存供应商正在取消定制AI半导体（ASIC）如定制HBM的生产，专注于商品内存生产以最大化盈利能力。“由于超大规模云运营商的购买意愿并未减弱，今年下半年内存价格没有下降的可能性。此外，如果能源危机长期持续，‘芯片通胀’可能会因为增加的资本成本和上涨的电力价格（占数据中心运营成本的一半以上）而增加需求负担。”
