2026年3月31日，扬杰科技发布年度报告，2025年公司销售收入增长主要受益于半导体行业景气度回升及功率半导体国产替代加速，全年订单同比大幅增长，产能利用率显著提高，经营效益稳步提升。此外，公司通过持续加大研发投入，在SiC、IGBT、MOSFET等高端产品领域取得突破，成功进入多家国际标杆汽车整车厂和Tier1客户供应链，进一步巩固了行业领先地位。
全年营收同比增长18.18%
2025年，扬杰科技实现营业收入71.30亿元，同比增长18.18%；归属于母公司所有者的净利润12.59亿元，同比增长25.55%。核心指标方面，综合毛利率33.43%，同比提升1.14个百分点；经营活动产生的现金流量净额17.03亿元，同比增长22.36%。产能方面，公司持续推进产能扩张，期末固定资产达40.95亿元，同比增长18.10%，在建工程19.44亿元，同比增长42.99%，为未来产能释放奠定基础。
从区域营收来看，内销收入53.12亿元，占比74.51%，同比增长17.35%；外销收入16.46亿元，占比23.08%，同比增长20.63%。外销增速高于内销，主要得益于公司海外布局加速，越南生产基地车规级封装产线已量产，进一步拓展了海外市场。
按产品应用划分，半导体器件收入62.57亿元，占比87.75%，同比增长20.24%，毛利率33.39%；半导体芯片收入5.34亿元，占比7.49%，同比增长6.29%，毛利率33.26%；半导体硅片收入1.67亿元，占比2.35%，同比下降9.78%，毛利率35.49%。
其中，车规级SiC芯片产线顺利实现量产爬坡，关键参数指标和工艺质量均达到国内领先水平，车规级功率半导体模块封装项目建成投产，获得多家国际、国内主流Tier1客户订单。
产品突破主要体现在汽车电子、清洁能源领域
扬杰科技聚焦功率半导体领域，形成了从半导体单晶硅片制造、功率半导体芯片设计制造到器件设计封装测试的全产业链布局，产品涵盖二极管、整流桥、MOSFET、IGBT、SiC等系列，广泛应用于汽车电子、清洁能源、工业控制、消费电子等领域。
核心产品方面，公司在SiC、IGBT、MOSFET等高端产品领域持续突破。SiC方面，开发了1200V/1700V SiC MOSFET芯片，第三代SiC MOS平台的比导通电阻(RSP)可对标国际水平；SiC模块方面，推出了C2A、Y-DPAK、HPD mini等系列产品，其中HPD mini激光焊接模块具备低电感、低热阻、高可靠性等特点，适用于新能源汽车主驱系统。IGBT方面，基于8寸、12寸平台完成了1.6/2.2µm pitch微沟槽650V 30A-160A、1200V 15A-200A IGBT芯片全系列开发和优化迭代，在客户端已实现全系列批量出货，重点布局新能源汽车、储能、工控、光伏逆变等应用领域。MOSFET方面，围绕汽车电子与高端电源两大核心增长赛道，构建覆盖中低压至高压的完整技术平台体系，车规NMOS产品通过多家头部终端汽车电子客户测试并进入量产阶段，性能处于行业领先区间；SGT MOSFET新一代P40V/P150V/N80V/N100V/N150V/N200V平台全面建立，核心性能指标FOM(RDS(ON)*QG)较市面主流水平领先20%以上。
本年度产品突破主要体现在汽车电子和清洁能源领域。车规级SiC芯片和模块的量产，满足了新能源汽车对高可靠性、高效率功率器件的需求；IGBT产品在新能源光储充应用领域，通过采用高密度器件结构设计以及先进的背面加工工艺，显著降低了器件饱和压降和关断损耗，已应用于60KW-320KW功率段；MOSFET产品在汽车电机驱动、电源管理等高功率应用领域，持续完善系列平台布局，并逐步导入重点客户实现规模应用。此外，公司在光伏二极管、整流桥等传统优势产品领域继续保持全球领先地位，市场份额进一步提升。
管理层表示，2025年公司持续推进产能建设，越南生产基地车规级封装产线已量产，首条车规级6寸晶圆工厂设计年产能240万片，预计2027年一季度实现量产；国内8寸晶圆项目、车规级功率芯片制造项目等在建工程进展顺利，将进一步提升公司产能规模和产品竞争力。全年半导体器件销售量659.10亿只，同比增长31.57%；半导体芯片销售量438.25亿只，同比增长26.43%，产能利用率保持在较高水平。
加快越南车规级晶圆工厂建设
财务指标方面，2025年公司毛利率提升至33.43%，较上年增长1.14个百分点，主要得益于产品结构优化和成本控制；净利率17.65%，同比提升0.95个百分点；经营活动现金流充裕，为产能扩张和研发投入提供了有力支撑。展望2026年，公司预计全年实现营业收入85亿元，将继续把握新能源汽车、人工智能、清洁能源等领域的发展机遇，进一步提升高端产品市场占比。
长期战略上，公司将坚持“产品领先、卓越运营、全球发展”三大战略，持续加大研发投入，重点突破SiC、IGBT、MOSFET等高端产品技术，推进车规级产品全系列覆盖，加速国产替代进程；深化全球产业链布局，完善海外生产基地建设，提升国际市场份额；推进精益运营管理，优化供应链体系，降低生产成本，提升运营效率。
2026年经营计划包括：研发投入占比维持在6.5%以上，推进SiC芯片和模块、IGBT芯片和模块、MOSFET车规产品等重点研发项目；加快越南车规级晶圆工厂建设，确保2027年一季度量产；持续拓展汽车电子、清洁能源、工业控制等高端市场，重点布局全球范围重点行业Top10客户；推进数字化转型，提升智能制造水平，实现生产效率和产品质量的进一步提升。
